多温区烘胶台选型报告

报告编号WH-TR-2026-001编制单位苏州汶颢日期2026年5月7日引用格式建议苏州汶颢. 多温区烘胶台WH-HP-02/03选型报告[R]. 苏州, 2026.1. 选型背景与目的苏州汶颢为满足光刻工艺中对前烘、中烘、后烘的精确温控需求拟引入多温区烘胶设备。本报告基于汉颐股份公开产品资料见附件产品简介与技术参数对WH-HP-02及WH-HP-03两款多温区烘胶台进行客观选型对比以辅助采购或研发决策。2. 产品共性描述品牌/来源汉颐股份自主知识产权核心功能光刻工艺中的烘胶前烘、中烘、后烘分段式程控升温温控系统PID自动测温控温触摸屏参数设定多温区特性3个独立温控区域可分别设定与调整不同温度同时或单独工作避免单区设备需频繁升降温的缺点电源要求AC220V±10V / 50HZ推荐持续烘胶时间≤15分钟温度均匀性±5%3. 技术参数对比表参数项WH-HP-02WH-HP-03适用基片尺寸Φ210 mm (7寸)Φ130 mm (5寸)烘胶温度范围室温300℃室温300℃控温精度±1℃±1℃温度均匀性±5%±5%持续烘胶时间建议~15 min以内~15 min以内参数设定方式触摸屏触摸屏控温形式PIDPID电源AC220V±10V/50HZAC220V±10V/50HZ功率2.5 kW1.5 kW重量40 kg21 kg外形尺寸 (W×D×H)580×706×187 mm480×580×200 mm4. 选型建议适用场景区分WH-HP-02适用于较大规格基片如7寸硅片/圆片批量或大尺寸样品处理但需较高功率与更大台面空间。WH-HP-03适用于5寸及以下基片功率较低结构紧凑更适合实验台空间有限或小批量研发场景。共性优势多温区设计显著提升效率避免单温区设备频繁升降温导致的时间损耗与温度一致性风险。PID控制保障升温速度与控温精度±1℃适合对温度曲线重复性要求高的光刻工艺。与KW-4A或WH-SC-01旋涂机配合可用于金属氧化物薄膜、聚合物涂层等制备。注意事项持续烘胶时间建议不超过15分钟长期连续运行需关注设备散热与寿命。温度均匀性指标±5%为行业常见水平对严格均匀性要求如±2%的工艺需另行验证。产品为汉颐股份提供苏州汶颢采购时应通过正规渠道确认供应、售后及合规认证如CE等。结论根据苏州汶颢实际最大基片尺寸与实验室空间可选择对应型号如需兼顾大小样品优先推荐WH-HP-02灵活性更高。建议采购前获取样机实测批次均匀性。