STM32G070CBT6读写FLASH中的数据

向FLASH中写入数据函数

/*函数说明：向FLASH中写数据形参：addr-要写入数据的起始地址 data-准备写入数据  len-数据大小返回值：1-成功，0-失败
*/
uint8_t FlashWriteData(uint64_t addr,uint8_t data[],size_t len)
{uint32_t FirstPage = 0, NbOfPages = 0;      //FirstPage：第一页，NbOfPages：Number of pages to be erased，需要被擦除的页数uint32_t Address = 0, PageError = 0;    //Address:要写入FLASH的地址//FLASH解锁HAL_FLASH_Unlock(); //FLASH解锁//获取要擦除的第一页FirstPage = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR); //获取要擦除的第一页//设置要擦除多少页NbOfPages = 1;  //1页，擦除一页//对要擦除结构体中的内容赋值EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;    //仅擦除页面EraseInitStruct.Page        = FirstPage;    //要擦除的起始页面EraseInitStruct.NbPages     = NbOfPages;    //需要擦除的页数//擦除FLASHif(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)//擦除FLASH{while (1){}}if(PageError != 0xFFFFFFFF){return FLASH_WRITE_FAIL;}//对要写入FLASH的初始地址赋值Address = addr;  //初始地址赋值//写入数据到FLASH中for(int i = 0 ; i < len;i ++ ,Address+=8) {//写入数据，写入位置Address+=8，每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, data[i]);}HAL_FLASH_Lock(); //FLASH上锁return FLASH_READ_SUCCESS;
}/*** @brief  Gets the page of a given address 获取给定地址的页面* @param  Addr: Address of the FLASH Memory   FLASH中的地址* @retval The page of a given address*/
static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)  
{return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
}

读取FLASH中数据函数

/*函数说明：读取FLASH中的数据形参：addr-要读取数据的起始地址 data-读出数据存放的地址  len-数据大小*/
void FalshReadData(uint64_t addr,uint8_t *data,size_t len)
{uint32_t Address = 0;   //要读取数据的地址Address = addr;  //起始地址for(int i = 0; i < len; i++, Address+=8){data[i] = *(__IO uint32_t*)(Address);}}

程序汇总在一起，.c和.h文件如下：

hal_falsh.c文件

#include "hal_flash.h"static uint32_t GetPage(uint32_t Address);static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;  //FLASH擦除结构体/*函数说明：向FLASH中写数据形参：addr-要读取数据的起始地址 data-准备写入数据  len-数据大小返回值：1-成功，0-失败
*/
uint8_t FlashWriteData(uint64_t addr,uint8_t data[],size_t len)
{uint32_t FirstPage = 0, NbOfPages = 0;      //FirstPage：第一页，NbOfPages：Number of pages to be erased，需要被擦除的页数uint32_t Address = 0, PageError = 0;    //Address:要写入FLASH的地址//FLASH解锁HAL_FLASH_Unlock(); //FLASH解锁//获取要擦除的第一页FirstPage = GetPage(FLASH_USER_START_ADDR); //获取要擦除的第一页//设置要擦除多少页NbOfPages = 1;  //1页，擦除一页//对要擦除结构体中的内容赋值EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;    //仅擦除页面EraseInitStruct.Page        = FirstPage;    //要擦除的起始页面EraseInitStruct.NbPages     = NbOfPages;    //需要擦除的页数//擦除FLASHif(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PageError) != HAL_OK)//擦除FLASH{while (1){}}if(PageError != 0xFFFFFFFF){return FLASH_WRITE_FAIL;}//对要写入FLASH的初始地址赋值Address = addr;  //初始地址赋值//写入数据到FLASH中for(int i = 0 ; i < len;i ++ ,Address+=8) {//写入数据，写入位置Address+=8，每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, Address, data[i]);}HAL_FLASH_Lock(); //FLASH上锁return FLASH_READ_SUCCESS;
}/*函数说明：读取FLASH中的数据形参：addr-要读取数据的起始地址 data-读出数据存放的地址  len-数据大小*/
void FalshReadData(uint64_t addr,uint8_t *data,size_t len)
{uint32_t Address = 0;   //要读取数据的地址Address = addr;  //起始地址for(int i = 0; i < len; i++, Address+=8){data[i] = *(__IO uint32_t*)(Address);}}/*** @brief  Gets the page of a given address 获取给定地址的页面* @param  Addr: Address of the FLASH Memory   FLASH中的地址* @retval The page of a given address*/
static uint32_t GetPage(uint32_t Addr)  
{return (Addr - FLASH_BASE) / FLASH_PAGE_SIZE;
}

hal_falsh.h文件

#ifndef _HAL_FLASH_H_
#define _HAL_FLASH_H_#include "stm32g0xx_hal.h"//FLASH写入状态
typedef enum
{FLASH_WRITE_FAIL,   //0，失败FLASH_READ_SUCCESS, //1,成功
}FLASH_WRITE_STATE;uint8_t FlashWriteData(uint64_t addr,uint8_t data[],size_t len);
void FalshReadData(uint64_t addr,uint8_t *data,size_t len);#endif

在主函数中，需要对FLASH写入或读取数据，直接调用这两个函数即可。

注意：

如果将串口接收到的数据直接通过这个FLASH写函数写入FALSH中的话，会出现每个数据之间间隔8个字节，如下图所示，因为串口是8位数据（1字节），而这个FLASH写函数一次性写入时64位（8字节）。

在读FLASH函数中，也是一次性读取64位（8字节）数据，所以如果串口接收数据不是特别多，间隔八个字节存储在FLASH中可以存储下，那么就可以直接调用上面的写函数和读函数进行数据的读写，最终可以得到正确的结果。

参考文章：

Keil5 HAL库操作 flash 存储数据(stm32f103c6t6),实现断电保存数据 - 耿明岩 - 博客园