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降压电路LDO

几乎所有LDO都是基于此拓扑结构

图 拓扑结构

LDO属于线性电源，通过控制开关管的导通程度实现稳压，输出纹波小，无开关噪声

线性电源，Iout=Iin，发热功率P=电压差△U*电流I，转换效率=Vo/Vi
LDO不适合电压差过大的场合		比如输入24V，输出3.3V，如果电流20mA，发热功率=20.7*20=0.54W，效率只有13.75%
LDO不适合电流大的场合		电流大，发热功率相对较大，同时，压差大，可能导致电压下拉，具体看datasheet的电压降，比如1V/1A (电流1A时，压降最少1V，输入电压4V，输出最大3V)
根据经验
SOT-23封装发热功率<0.3W；			SOT-89封装发热功率<0.5W；
如果发热功率过大，可以考虑使用BUCK降压电路， 必须使用LDO的话，可以串联电阻，分担一部分功耗，注意LDO电压降必满足要求
元器件选型	项目实战以78L05、ME6211C33M5G、HT7333-3

LDO项目实战

78L05

由此图得，78L05芯片的压降>2V

此时Vout=12V，电阻分压3V(电阻串联分功耗)，压降12-3-5=4v，功率0.4W<0.5W

HT7333-3

静态电流很低，所以静态功耗也低

RT9018A

图中红色公式源于 LDO（低压差线性稳压器，此处为 RT9018A）的反馈调压原理，具体分析如下

AP2127K-ADJTRG1

电阻分压原理和上述相同

ME6211C18M5G-N

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反激式开关电源

反激变换器基本电路图

工作原理

当Q1导通时(反相感生		整流二极管D1、D2反向截止，输出电容给负载供电
T1相当于一个纯电感，流过Np的电流线性上升，达到峰值Ip
当Q1关断时	所有绕组电压反向，此反激电压使输出二极管D1、D2导通 同时初级存储的能量1/2LIp²传送到次级，提供负载电流，给C0充电

输入保护

F1	保险丝
Mov1	压敏电阻，用来防雷击（提供回路，保护电网）
RT1	热敏电阻，
抑制浪涌电流：电路接通瞬间，由于电容等储能元件的存在，会产生较大浪涌电流。NTC热敏电阻在常温下阻值较高，能限制开机瞬间的浪涌电流，避免过大电流冲击整流桥（如D4）、变压器（如L2）等元件，保护电路。随着电流通过，NTC自身发热，阻值迅速降低，正常工作时其上损耗较小，不影响电路正常运行。
CX1	保护电容
L2	保护电感

变压器核心

U2（SM7022）	控制芯片
R2、D6、C4	保护作用，防止3脚电压过高，损坏U2
6、7、9、10脚	变压器次级输出
D1、D2	整流电容
C2	输出电容
变压器输入4、5脚	提供电压给U2芯片、PC817B供电

输出

L1、C3		LC滤波，降低电流纹波
D3	稳压管，防止输出电压>16V	D5、R1	指示灯

反馈

PC817B	光耦隔离
TL431A	基准电压2.5V，可以算出输出电压（通过电阻R4、R6、R9分压）
输出电压变化→光耦电流变化→控制导通程度→芯片反馈，调节PWM→Vout=12V

以上图片有的来源于网络，仅供学习使用

下节预告-降压电路BUCK-Boost升压电路