拉扎维模拟CMOS集成电路设计西交张鸿老师课程P10~13视频学习记录

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p10

短沟道，除了沟长调，还可能出现速度饱和问题；

但是在拉扎维这本书里面没有考虑这个问题，还是认为工作在弱反或者强反；

但是在一些先进工艺，或者高速的IO电路中，确实可能存在速度饱和的问题，此时就需要采用更长的L等措施；

速度饱和会导致管子的gm不变，成为常数；

还提到一点，就是薄氧管和厚氧管，一般数字的选择前者，模拟的选择后者；

吉尔伯特单元；

用作混频器的时候；

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p11

电流镜

为了解决上述基础电流镜中存在的这种问题，引入了cascode电流镜；

为了获得经过的复制电流值，将消耗更大的输出电压范围，如下，一个阈值电压500-700mv，太大了；

鉴于此，如果不需要严格保证Vx=Vy的话，这里可以；

        

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p12

CMRR and bias

5管OTA的共模特性；

5T与全差动对的对比

共模波动，CMRR，共模抑制比；

电源波动，PSRR，电源抑制比；

5管OTA的CMRR\PSRR均比全差动对要差；

偏置电路

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p13

此时就需要产生这个偏置电压；

但是这两中根本不靠谱，所以还是看下面这两种电路；

更精确的一种方法，拉扎维的图5.19；

还有一种专用在差动对的，不用cascode；

5管OTA，或者叫有源电流镜

其实是将电流镜作为差动对的负载；

所以还是那个问题，Id4想增加，Id2想减小；

之前说过的，一山不容二虎，此时需要迁就电流小的，所以M4就没法提供Id4想要的大电流；

此时会导致Vout上升，进而减小Vds，M4管进入线性区;

下面先进性大信号分析；

大信号，分析输出范围，希望在该共模电平下，所有管子都在饱和区；

有点类似右边的 半个电路的 等效；