片外存储器_FLASH的页、扇区、块介绍

1、什么是FLASH存储器？

FLASH属于广义的ROM，因为它也是带电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的E2PROM，我们叫它FLASH。FLASH做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位。

FLASH分为Nor FLASH和NAND FLASH。NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。

NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取（NAND FLASH按块来擦除，按页来读，NOR FLASH没有页）。由于NAND FLASH引脚上复用，因此读取速度比NORFLASH慢一点，但是擦除和写入速度比NORFLASH快很多。NAND FLASH内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND型的。小容量的2~12M的FLASH多是NOR型的。

NORFLASH可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR FLASH中运行。嵌入式系统多用一个小容量的NOR FLASH存储引导代码，用一个大容量的NAND FLASH存放文件系统和内核。

2、Flash中页、扇区、块是什么意思?有什么区别？

Flash是用于存储数据的存储器，但很多人看到页(Page)、扇区(Sector)、块(Block)等这些单位时总是分不清楚到底是什么含义，下面就来详细讲解一下！
　　下面以W25Q128芯片为例，先看下面这段话：
　　W25Q128存储芯片是由65536可编程的页组成的，每页有256个字节。一次最多可以写256个字节。可以一次擦除16页（4K字节）、128页（32K字节）、256页(64K字节)或者一整片。W25Q128有4096个可擦除的扇区，256个可擦除的块。4K字节的扇区对于数据和参数存储有更高的灵活性。

2.1、芯片内部框图

2.2、页

页就是flash中一种区域划分的单元，就像一本书中的一页一样，图中红色框选部分就为1页。
一页内存地址为 ：0X000000-0X0000FFh,共256个字节（16x16=256）。
　不同存储器的页大小是不同的。

2.3、扇区

扇区和页类似，也是一种存储结构单元，只是扇区更常见，大部分Flash主要还是以扇区为最小的单元。图中粉红色部分为一个扇区的大小。我们从sector 0 ，也就是扇区0 开始分析（粉红色框下下面的扇区）。我们看到：

一个扇区是从 0x000000-----0x0000FF
　　　　　　　 　0x000100-----0x0001FF
　　　　　　　 　0x000200-----0x0002FF
　　　　　　　 　0x000300-----0x0003FF

…
　　　　　　　 　0x000f00----0x000FFF 为止 ===========16*256=4096字节=4K

一个扇区有16个页，又因为每一个页有256字节，所以一个扇区有4k字节。

2.4、块

块是比扇区更高一个等级，一般1块包含多个扇区也就是图中蓝色标识的区域。我们看到：

一块的是从 0x000000-0x000FFF

0x001000-0x001FFF

0x002000-0x002FFF

0x003000-0x003FFF

…
0x00F000-0x00FFFF为止= ====================4K*16=64K

可以看出，一个块有16个扇区组成。
而一个芯片内部存储区域是绿色部分所画的，有256个块，所以W25Q128总共的存储空间为256个块。即一个FLASH为256个块，一个块为16个扇区，一个扇区为4K字节。所以：256164K=16384K=16M/8=128Mbit。

2.5、包含示意图

3、使用FLASH 时候，必须知道的事。

1、由于FLASH的物理特性，决定了FLASH每一位的操作只能从1变为0（写操作）。
2、大多数FLASH芯片或单片机内未使用FLASH存储空间每一位出厂默认都是1。
3、对FLASH写操作之前必须将待操作FLASH空间数据都置为1。

如果内存地址上的数据是0的话，不进行置1的擦除动作，当我们想内存地址写1时候是失败的，因为内存只能从1变为0，不能从0变为1。所以必须在写操作之前将flash擦除。

4、对FLASH的擦除操作即是把待操作的空间的每一位都置为1。
5、所以FLASH写操作前需有擦除操作。
W25Q128JV存储芯片的擦除比较灵活，可以按扇区、块甚至是整片擦除。（擦除是需要时间的，比如整片擦除约用时几十秒）。