4N60-ASEMI高压MOS管4N60

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4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗（PD）为104W。4N60的电性参数是：正向电流(Io)为4A，漏极-源极击穿电压为600V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

4N60参数描述

型号：4N60

封装：TO-220

特性：N沟道高压MOS管

电性参数：4A 600V

正向电流(Io)：4A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω

功耗（PD）：104W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

最大脉冲正向电流ISM：16A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

4N60是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.57mm，宽度为10.66mm，高度为5.0mm，脚间距为2.54mm。

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