一些硬件知识【2024/12/6】

MP6924A:

正点原子加热台拆解：

PMOS 相比 NMOS 的缺点：

缺点	描述
迁移率低	PMOS 中的空穴迁移率约为电子迁移率的 1/3 到 1/2，导致导通电流较低。
开关速度慢	由于迁移率较低，PMOS 的开关速度比 NMOS 慢，不适合高速数字电路。
功耗更高	为达到相同的驱动能力，PMOS 通常需要更大的尺寸，导致功耗增加。
成本更高	更大的晶体管尺寸和芯片面积使得 PMOS 电路的制造成本更高。
阈值电压更高	PMOS 的阈值电压通常较高，不适合某些低电压应用场景。
隔离复杂	PMOS 需要 N型衬底隔离，而 P型衬底更为常见，增加了制造复杂性。

示波器怎样测量电源上电时序？

BMS一个建议：

首先低功耗设计有问题，系统休眠要考虑休眠功耗，虽然MPS的芯片功耗我看了2ua，但是LDO选的功耗并不低，一般都是休眠用AFE给mCU供电，正常工作时候启动DCDC，其次BMS要考虑充电激活，按键激活，要根据MCU的休眠模式，接wkup脚或者常规中断，其次采样线要注意最低和最高节要从电池PACK中JER取，和动力线B+和B-单点接，大电流的场景下，不要把动力线B+和B-充当采集线，再个不知道应用场景如何，这个管子数量肯定不够的，不管是短路能量EJ还是常规发热，后端大电容预充也要考虑，应该没做过完成的BMS产品，不过就新手来说，也不错，值得鼓励

晶振也有专门的芯片，一个主时钟源进去，多路时钟出来，类似电源的PMIC:

电流霍尔传感器：

电流霍尔传感器利用霍尔效应来检测电流的大小和方向，是一种非接触式的电流测量装置。

将流过IP引脚的电流产生的磁场，进行转换，从OUT输出一个电压表示流过芯片的电流：

没有电流流过的时候，OUT输出2.5V，正好是芯片供电电压的一半：

流过1A的时候OUT电流是2.54V：

流过电流2AOUT电流是2.58V：