【嵌入式】STM32内部NOR Flash磨损平衡与掉电保护总结
1. NOR Flash与NAND Flash
先deepseek看结论:
特性 | Nor Flash | NAND Flash |
---|---|---|
读取速度 | 快(支持随机访问,直接执行代码) | 较慢(需按页顺序读取) |
写入/擦除速度 | 慢(擦除需5秒,写入需逐字节操作) | 快(擦除4ms,按块操作) |
存储密度 | 低(1MB-1GB,适合小容量) | 高(8GB-1TB+,适合大容量) |
擦写寿命 | 约10万次 | 约100万次 |
成本 | 高 | 低 |
坏块管理 | 无需坏块管理,可靠性高 | 需ECC纠错和坏块管理 |
代码执行 | 直接运行代码 | 需将代码加载到RAM运行 |
- 本次只针对STM32内部Flash,即Nor Flash进行总结,不考虑坏块问题。
- 本次设计结合实际项目,存储固定个数的文件进行说明,文件存储时包含文件索引+文件内容。
2. 掉电保护原理
2.1 Flash擦除过程掉电
参考链接nor flash之擦除与写入,擦除的步骤有三步:
- 先设置全0,此过程掉电,FLASH前面部分数据会变成0,后面部分数据不变;
- 擦除,此过程掉电,FLASH全部数据可能是错乱的数值;
- 维持全1,此过程掉电,FLASH中大部分数据读出是0xFF,某些部分读出的数据可能为其他数值;
通过设置magic num,且存放在扇区头部,可以解决前两种问题,但第三种无法解决,这种问题只能通过扫描是否全是0xFF来检查并重新擦除!
2.2 Flash写入过程掉电
掉电后,前面写入的数据为正常数据,后面未写入,仍未0xFF。
比如写一个结构体,可能会出现写一半的情况,可通过一个状态字段来进行识别,后面进行详细说明。
2.3 磨损平衡
考虑到FLASH的寿命,写入数据时是增量写入的,比如修改一个变量或者结构,会重新写入一个新的,同时将旧的标记为已删除,这个标记可以和状态字段整合到一起。
还需要考虑扇区写满后数据转移的问题,本次项目中采用主扇区和备份扇区交替写入的机制来控制磨损平衡,需添加扇区头结构,对扇区进行标识,要做到既可以在启动时选择到正确的扇区,又可以识别出破坏的扇区。
2.4 断电数据恢复
当写扇区头或者写文件时,如果掉电,那么本次的数据需在启动时识别出来,并可以恢复到增量写入时上个文件完整的数据。本次项目未考虑数据恢复的问题,只识别出了是否发生了损坏,损坏会全部擦除,上位机重新下发文件。
3. 扇区头部结构
考虑到自己项目中文件较小,且写入频次较低,项目设计并没采用类似easyFlash库那样对所有扇区进行平衡写入。为了加快搜索,项目中对文件索引单独存储一个扇区,同时结合另一个相同大小的扇区进行写满后换扇区写入。同样,文件数据也采用两个扇区进行交替写入。
不管哪个扇区,考虑到擦除中断电导致扇区被破坏,每个扇区的头部添加如下结构:
typedef struct tagSectorHeader{uint32_t u32Magic; //魔术字,0x12345678uint32_t u32SectorStatus; //扇区的状态
}TSectorHeader;
//扇区的状态
#define SECTOR_STATUS_INIT 0xFFFFFFFF //未使用
#define SECTOR_STATUS_USED 0x00FFFFFF //已使用,写完数据后设置该装填
#define SECTOR_STATUS_ERASE 0x0000FFFF //擦除中,先搬运数据,搬运完毕后擦除扇区,变为未使用
这里使用了Flash中的一个小技巧,对同一个地址,写4字节数据时,可以多次写入,但必须按照先写0x00FFFFFF再写0x0000FFFF这种方式进行写入,只要之前是FF位置的数据就可以写入。
判定扇区是否损坏:
uint32_t isBadSector(TSectorHeader *pHdr)
{// 魔术字无效且不是初始值 或 魔术字是初始值但扇区状态不是初始值if (pHdr->u32Magic != SECTOR_MAGIC_NUM && pHdr->u32Magic != 0xFFFFFFFF || pHdr->u32Magic == 0xFFFFFFFF && pHdr->u32SectorStatus != SECTOR_STATUS_INIT){return 1; // 扇区损坏}return 0;
}
第一次写扇区头:
int32_t writeNewSectorHdr(uint32_t u32SectorAddr)
{// 标记新扇区 - 使用状态if (writeSectorStatus(u32SectorAddr + offsetof(TSectorHeader, u32SectorStatus), SECTOR_STATUS_USED) != 0){return -1;}// 标记新扇区 - 魔术字uint32_t u32Magic = SECTOR_MAGIC_NUM;if (AflFlashWriteWords(u32SectorAddr + offsetof(TSectorHeader, u32Magic), &u32Magic, 1) != 0){return -1;}return 0;
}
更改扇区状态:
int32_t writeSectorStatus(uint32_t u32StatusStartAddr, SECTOR_STATUS_DEFINE statusNow)
{int32_t iRet = 0;FILEINDEX_STATUS_DEFINE statusLast; // 注意状态写入必须按状态定义的顺序进行写入!AflFlashReadWords(u32StatusStartAddr, &statusLast, 1);if (statusNow == SECTOR_STATUS_USED){if (statusLast != SECTOR_STATUS_INIT){ASSERT(1, "last sector status err!"); return -1;}}else if (statusNow == SECTOR_STATUS_ERASE){if (statusLast != SECTOR_STATUS_USED){ASSERT(1, "last sector status err!");return -1;}}else{}iRet = AflFlashWriteWords(u32StatusStartAddr, &statusNow, 1);return iRet;
}
4. 文件索引结构
//文件索引的操作状态
#define FILEINDEX_STATUS_INIT 0xFFFFFFFF //未使用
#define FILEINDEX_STATUS_PRE_WRITE 0x00FFFFFF //准备写入
#define FILEINDEX_STATUS_FIN_WRITE 0x0000FFFF //已写入 写入索引结构数据即更新,文件数据靠CRC校验
#define FILEINDEX_STATUS_FIN_DEL 0x000000FF //已删除
//#define FILEINDEX_STATUS_PRE_DEL 0x000000FF //准备删除 该操作可以用来恢复上次的数据,本次设计无需恢复数据
//文件索引信息
typedef struct tagFileIndex
{uint32_t u32DataStatus; // 操作状态uint32_t u32IndexAddr; // 该索引在扇区中的起始地址uint32_t u32DataAddr; // 该文件在Flash中的起始地址uint32_t u32DataLen; // 数据块的长度uint16_t u16FileCRC; // 数据校验值uint16_t u16AlignReserved; // 对齐保留// 其他数据
}TFileIndex;
写索引时,先写状态为准备写入,然后写结构体字段,写完后再修改状态为写入完成。
比如写一个文件,会先写索引结构,再写文件内容,索引结构中添加状态字段来进行控制,文件内容没写完掉电,可通过检查索引结构中的文件长度、CRC来对文件内容进行校验。
写索引数据:
// 写索引数据,状态无需传入,内部控制
int32_t writeFileIndexToFlash(uint32_t u32CopyToAddr, TFileIndex *ptfileIndex)
{int32_t iRet = 0;do{// 先写状态为【准备写入】iRet = writeFileIndexStatus(u32CopyToAddr + offsetof(TFileIndex, u32DataStatus), FILEINDEX_STATUS_PRE_WRITE);if (iRet != 0)break;//写索引地址iRet = AflFlashWriteWords(u32CopyToAddr + offsetof(TFileIndex, u32IndexAddr), &u32CopyToAddr, 1);if (iRet != 0)break;// 写剩余的其他所有数据iRet = AflFlashWriteWords(u32CopyToAddr + offsetof(TFileIndex, u32DataAddr), (uint32_t *)&ptfileIndex->u32DataAddr, (sizeof(TFileIndex) - offsetof(TFileIndex, u32DataAddr))/4);if (iRet != 0)break;// 最后,写状态为【已写入】iRet = writeFileIndexStatus(u32CopyToAddr + offsetof(TFileIndex, u32DataStatus), FILEINDEX_STATUS_FIN_WRITE);if (iRet != 0)break;ptfileIndex->u32DataStatus = FILEINDEX_STATUS_FIN_WRITE;ptfileIndex->u32IndexAddr = u32CopyToAddr;} while (0);if (iRet != 0){DEBUG(DEBUG_ERROR, ("writeFileIndexToFlash Error!!"));}return iRet;
}
写文件数据(略),过程就是先写索引,再写数据,最后检查写入的文件CRC是否正确。
5. 总结
以上是状态控制的核心代码,其他和写文件数据内容相关、扇区切换相关略去了,以后有机会可以写个通用的、小型的模块。
数据恢复的思路如下,本次检查到非法数据,直接擦了:
当写入新的结构时(注意这个结构必须具备唯一标识符),需将旧的结构标记为准备删除,然后写新的结构,当新结构数据写完后,会将旧的结构数据再标记为已删除。这样初始化时扫描所有数据,如果同一个标识符的结构,一个状态为准备删除,一个为准备写入,此时认为数据未拷贝完,可以将准备写入改为已删除,废掉这个数据,重新拷贝一个新的,此时即使再次掉电也没问题。如果同一个标识符的结构,一个状态为准备删除,一个为写入完成,此时认为数据已经拷贝完,将准备删除改为已删除即可。
6. 调试中问题
- 使用ST-Link单步调试读写flash代码,可能会出现写失败,甚至数据被篡改,改为J-Link解决该问题。
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