PSRAM伪静态RAM芯片APS6404L

PSRAM伪静态RAM能结合SRAM和DRAM的优点，即容量大,又接口驱动简单，PSRAM接口和SRAM一样简单，驱动简单；而存储形式则和DRAM一样，容量远大于SRAM，介于SRAM和DRAM之间。

PSRAM厂家也有很多,以AP用的最多。最常用的便是64MB。APS6404L这种伪SRAM器件具有高速、低引脚数接口。它有4个SDRI/O引脚，以SPI或QPI模式工作，频率高达133MHz。它最适合低功耗和低成本的便携式应用。它包含了一个无缝的自我管理刷新机制。因此，它不需要系统主机对DRAM刷新的支持。自刷新功能是一种特殊的设计，可最大限度地提高内存读取操作的性能。APS6404L有标准封装，包括SOP-8L和USON-8L。

功能
·50Ω输出驱动强度LVCMOS
·线性突发（连续）或通过切换命令的32字节包装突发。
·线性突发支持高达84MHz，并且只要满足tCEM，就可以跨越页面边界。
·软件重置

规格
·单电源电压
-VDD=2.7至3.6V
·接口：SPI/QPI，带SDR模式
·性能：时钟速率高达
-在VDD=3.0V+/-10%时，32字节封装突发操作为133MHz
-在VDD=3.3V+/-10%时，109MHz用于32字节封装突发操作
-用于线性突发操作的84MHz
·组织：64Mb，8Mx8bits
·可寻址位范围：A[22:0]
·页面大小：1024字节
·刷新：自我管理
·工作温度范围：
-Tc=-40℃至+85℃（标准范围）
-Tc=-40℃至+105℃（扩展范围）
·最大备用电流
-105℃时为350μA
-250μA@85℃
-140μA@25°