模拟电路2

BJT双极性晶体管

1.1 BJT共射特性曲线

输入特性：

iB = f(uBE)|Uce=C 定量分析，确定只有一个变量

输出特性

放大区：发射结正偏，集电结反偏

截至区：双结反偏 CE断路

饱和区：双结正偏 UCEs=0.3 CE类似于开关闭合。βIB>ICmax

饱和压降是UCE达到最小的值。

ICmax = VCC-0.3（UCE）/RC

判断βIB是否大于ICmax 

1.2三极管的主要参数

从图中看集电极电流，UCE及功率都会对三极管寿命产生影响

1.3温度影响

温度越高，开启电压需要减小。

β和穿透电流ICEO受影响

场效应管（FET）靠电场效应  

输入电流小，功率低，输入电阻极大

只存在多子导电，受温度影响小。（温度对少子影响较大）

2.1 结型场效应管

不加电压跟耗尽型差不都，自带沟道

加反压 ，耗尽层变宽

uds通电，PN结反偏 ，上部分逐渐呈现夹断状态

2.2 耗尽型场效应管

天生存在沟道

2.3 绝缘栅型场效应管（MOSFET）

 

g栅集（控制集）s源极 d 漏极

g集趴在玻璃上，绝缘，功耗小

箭头方向是PN结方向

d和s之间不加电压，加uGS 

电场向下， 把空穴挤走了

把自由电子吸上了，构成反型层 ，后成自由电子沟道，形成N沟道

得到一个用电压控制的可变电阻器

uGS决定RDS

uGS（th）开启电压，大于阈值沟道形成。

uGS与uDS是相反的电场

uGS不变大于阈值  uGS-uDS=uGS（th）预夹断

2.4 场效应管的特性曲线

有个导通电压

构成放大电路思路：

三极管，工作在放大区，小交流加在大直流上。

场效应管，放在恒流区，Ugs产生id的变化

结型要么全正要么全负

耗尽型是自带沟道

绝缘栅需要大于开启电压Ugs（th）