DCDC芯片，boost升压电路设计，MT3608 芯片深度解析：从架构到设计的全维度技术手册

一、硬件架构解析：电流模式升压 converter 的核心设计

（一）电路拓扑与核心组件

MT3608 采用恒定频率峰值电流模式升压（Boost）转换器架构，核心由以下模块构成：

集成功率 MOSFET

内置 80mΩ 导通电阻的 N 沟道 MOSFET，漏极（Drain）对应引脚 SW，源极（Source）内部接地。

优势：减少外部元件数量，降低导通损耗（典型导通损耗 $ P_{MOS} = I_{SW}^2 \times R_{DS(ON)} $，在 2A 负载时仅 0.32W）。

固定频率振荡器

1.2MHz 固定开关频率，支持使用高度 ≤2mm 的小型电感（如 4.7μH 贴片电感体积可小于 3.2mm×3.2mm）。

高频设计的 trade-off：减小磁元件体积，但需注意 MOSFET 开关损耗（$ f_s = 1.2MHz $ 时，每次开关周期约 833ns）。

反馈控制环路

基于 0.6V 带隙基准电压（VREF），通过电阻分压网络（R1、R2）采样输出电压至 FB 引脚。

误差放大器放大基准与反馈电压差，驱动 PWM 比较器调节 MOSFET 导通时间，实现输出电压稳定。

（二）控制机制与工作模式

峰值电流模式控制

电流检测与斜坡补偿：在每个开关周期开始时导通 MOSFET，电流检测放大器监测电感电流，当电流斜坡（含内部补偿斜坡）达到误差放大器输出电压时关断 MOSFET。

亚谐波振荡抑制：通过在电流检测信号中叠加斜坡补偿，确保占空比 >50% 时系统稳定（如输入电压接近输出电压时）。

轻载节能模式（PFM）

当负载电流低于阈值（约 100mA，具体取决于输入输出电压）时，自动切换至脉冲频率调制（PFM）模式：

特点：延长 MOSFET 关断时间，降低开关频率至数十 kHz，静态电流从 PWM 模式的 1.6mA 降至 PFM 模式的 0.1μA（VFB=0.7V 时），提升轻载效率（图 2 显示 10mA 负载时效率仍超 85%）。

软启动功能

内部集成软启动电路，限制启动时的电感电流上升率，将输入浪涌电流控制在 2A 以内（典型值），保护电池类电源免受冲击。

（三）保护功能设计

欠压锁定（UVLO）

输入电压低于 2V 时关闭转换器，回差电压 100mV（即电压回升至 2.1V 时重新启动），避免输入电压波动时频繁启停。

过流保护（OCP）

检测 MOSFET 电流，超过 4A 峰值时立即关断，通过内部定时器实现打嗝（Hiccup）模式，故障排除后自动恢复。

过热保护（OTP）

结温超过 160°C 时关闭输出，温度降至 140°C 以下恢复，SOT23-6 封装的热阻约 150°C/W，需通过 PCB 接地层辅助散热。

二、元器件参数细节：从极限值到电气特性的工程解读

（一）绝对最大额定值（安全工作边界）

参数	数值	工