FMC STM32H7 SDRAM

如何无痛使用片外SDRAM?

stm32 已经成功初始化了 STM32H7 上的外部 SDRAM（32MB） 如何在开发中无痛使用SDRAM 使它像普通 RAM 一样“自然地”使用?

[todo] 重要

MMT(Memory Management Tool) of STM32CubeMx

The Memory Management Tool (MMT) displays the memory map and defines memory attributes applied in user projects opened/created in STM32CubeMX. The tool is located in the “Tools” tab. It allows the user to declare memory regions at application level (referred to as “application region” or AppReg in this document). The hardware constraints related to TrustZone®, Memory Protection Unit and the memory granularity are handled by MMT and made transparent to the user, so that the focus can be put on the memory regions at the application level. A linker file is generated according to the application regions declared and configured by the user. The MMT key features are:

• Memory map display
• Application regions management
• Linker file generation

MMT interacts with peripherals starting from the moment the user enters its interface:

• Checks their settings
• Updates other peripherals involved in memory map configuration

The peripherals are updated only when the first toggle button is ON. 

MMT updates the linker scripts only when the second toggle button is ON. 

STM32H7 FMC SDRAM 配置

嵌入式STM32上设置好外部SDRAM并不难。

// code verified OK STM32H743IIT6 - W9825G6KH-6I - 32MB
#include "main.h"
#include "SDRAM_W9825G6KH.h"   //externel sdram memory devicestatic void FMC_SDRAM_ClockInit(void);
static void FMC_SDRAM_GPIOInit(void);
void SDRAM_Init(void);/*
** 功能：FMC的SDRAM控制器初始化 + 外部SDRAM存储设备初始化
** 配置：1. 时钟源来自PLL2也需要适配。GPIO引脚也需要适配。
**       2. 初始化SDRAM控制器+外设时序初始化
** 注意：注意栈溢出。
*/
void SDRAM_Init(void)
{/*** 第一步：配置SDRAM控制器的时钟源*/FMC_SDRAM_ClockInit();/*** 第二步：配置SDRAM控制器与外部存储设备的引脚*/FMC_SDRAM_GPIOInit();/*** 第三步：FMC SDRAM 控制器初始化 -----------------------------*/FMC_SDRAM_TimingTypeDef  SDRAM_Timing = {0};SDRAM_HandleTypeDef      hsdram = {0};/* SDRAM device configuration */hsdram.Instance                = FMC_SDRAM_DEVICE;             /* SDRAM在BANK5,6 */hsdram.Init.SDBank             = FMC_SDRAM_BANK1;              /* 第一个SDRAM BANK */hsdram.Init.ColumnBitsNumber   = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;  /* 列数量 */hsdram.Init.RowBitsNumber      = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;    /* 行数量 */hsdram.Init.MemoryDataWidth    = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;   /* 数据宽度为16位 */       hsdram.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; /* 一共4个BANK */hsdram.Init.CASLatency         = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_2;      /* CAS延迟为2个周期 */hsdram.Init.WriteProtection    = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;  /* 失能写保护 */hsdram.Init.SDClockPeriod      = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;     /* SDRAM时钟=fmc_ker_ck/2=220M/2=110M=9.1ns */hsdram.Init.ReadBurst          = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;      /* 使能突发访问 */hsdram.Init.ReadPipeDelay      = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;      /* 读通道延迟1个fmc_ker_ck时钟周期 *//* Timing configuration for xxxMhz as SDRAM clock frequency */SDRAM_Timing.LoadToActiveDelay    = 2;  /* 加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期 */SDRAM_Timing.ExitSelfRefreshDelay = 8;  /* 退出自刷新延迟为8个时钟周期 */SDRAM_Timing.SelfRefreshTime      = 7;  /* 自刷新时间为7个时钟周期 */SDRAM_Timing.RowCycleDelay        = 7;  /* 行循环延迟为7个时钟周期 */SDRAM_Timing.WriteRecoveryTime    = 2;  /* 恢复延迟为2个时钟周期 */SDRAM_Timing.RPDelay              = 2;  /* 行预充电延迟为2个时钟周期 */SDRAM_Timing.RCDDelay             = 2;  /* 行到列延迟为2个时钟周期 */if(HAL_SDRAM_Init(&hsdram, &SDRAM_Timing) != HAL_OK){ Error_Handler();}/* Program the SDRAM external device -----------------------** 第四步：外部 SDRAM 存储设备的时序初始化*/__IO uint32_t tmpmrd =0;FMC_SDRAM_CommandTypeDef command;/* Step 1:  Configure a clock configuration enable command */command.CommandMode       = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;command.CommandTarget     = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;command.AutoRefreshNumber = 1;command.ModeRegisterDefinition = 0;HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram, &command, SDRAM_TIMEOUT);/* Step 2: 此时最小需要500us延迟；HAL库粒度为1ms，延迟1ms */HAL_Delay(1);/* Step 3: Configure a PALL (precharge all) command */command.CommandMode   = FMC_SDRAM_CMD_PALL;command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;command.AutoRefreshNumber = 1;command.ModeRegisterDefinition = 0;HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram, &command, SDRAM_TIMEOUT);/* Step 4 : Configure a Auto-Refresh command */command.CommandMode   = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;command.AutoRefreshNumber = 8;command.ModeRegisterDefinition = 0;HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram, &command, SDRAM_TIMEOUT);/* Step 5: Program the external memory mode register */tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2           |SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;command.CommandMode   = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;command.AutoRefreshNumber = 1;command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram, &command, SDRAM_TIMEOUT);/* Step 6: Set the refresh rate counter */HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram, REFRESH_COUNT); }/* configure PLL2->R as output at 220MHz for FMC */
static void FMC_SDRAM_ClockInit(void)
{RCC_PeriphCLKInitTypeDef PeriphClkInitStruct = {0};PeriphClkInitStruct.PeriphClockSelection = RCC_PERIPHCLK_FMC;PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2M = 25;PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2N = 440;PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2P = 2;PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2Q = 2;PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2R = 2;  //220MHz PLL2R OutputPeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2RGE = RCC_PLL2VCIRANGE_0;PeriphClkInitStruct.PLL2.PLL2VCOSEL = RCC_PLL2VCOWIDE;PeriphClkInitStruct.FmcClockSelection = RCC_FMCCLKSOURCE_PLL2;if (HAL_RCCEx_PeriphCLKConfig(&PeriphClkInitStruct) != HAL_OK){Error_Handler();}/* Peripheral clock enable */__HAL_RCC_FMC_CLK_ENABLE(); 
}/*
1. 配置FMC内的SDRAM控制器对外部SDRAM存储设备物理连接引脚
*/
static void FMC_SDRAM_GPIOInit(void)
{GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct ={0};/* 1. GPIO Ports Clock Enable */;//在MX_GPIO_Init函数里实现的。/** FMC GPIO ConfigurationPF0   ------> FMC_A0PF1   ------> FMC_A1PF2   ------> FMC_A2PF3   ------> FMC_A3PF4   ------> FMC_A4PF5   ------> FMC_A5PC0   ------> FMC_SDNWEPH2   ------> FMC_SDCKE0PH3   ------> FMC_SDNE0PF11  ------> FMC_SDNRASPF12  ------> FMC_A6PF13  ------> FMC_A7PF14  ------> FMC_A8PF15  ------> FMC_A9PG0   ------> FMC_A10PG1   ------> FMC_A11PE7   ------> FMC_D4PE8   ------> FMC_D5PE9   ------> FMC_D6PE10  ------> FMC_D7PE11  ------> FMC_D8PE12  ------> FMC_D9PE13  ------> FMC_D10PE14  ------> FMC_D11PE15  ------> FMC_D12PD8   ------> FMC_D13PD9   ------> FMC_D14PD10  ------> FMC_D15PD14  ------> FMC_D0PD15  ------> FMC_D1PG2   ------> FMC_A12PG4   ------> FMC_BA0PG5   ------> FMC_BA1PG8   ------> FMC_SDCLKPD0   ------> FMC_D2PD1   ------> FMC_D3PG15  ------> FMC_SDNCASPE0   ------> FMC_NBL0PE1   ------> FMC_NBL1*/GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3|GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15;GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStruct);GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0;GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;HAL_GPIO_Init(GPIOC, &GPIO_InitStruct);GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3;GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;HAL_GPIO_Init(GPIOH, &GPIO_InitStruct);GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_15;GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStruct);GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1;GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStruct);GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1;GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH;GPIO_InitStruct.Alternate = GPIO_AF12_FMC;HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStruct);}

Flexible memory controller (FMC)

stm32h743iit6 RM0433

The flexible memory controller (FMC) includes three memory controllers:

• The NOR/PSRAM memory controller

• The NAND memory controller

• The Synchronous DRAM (SDRAM/Mobile LPSDR SDRAM) controller

The FMC functional block makes the interface with: synchronous and asynchronous static memories, SDRAM memories, and NAND flash memory. Its main purposes are: • to translate AXI transactions into the appropriate external device protocol • to meet the access time requirements of the external memory devices

关于静态存储器、动态存储器、Nand Flash

所有外部存储器都与FMC控制器共享地址、数据和控制信号。 每个外部设备都通过唯一的片选信号进行访问。FMC 每次只能对一个外部设备执行一次访问。

FMC 的主要特性如下：

• 与静态存储器映射设备接口，包括： – 静态随机存取存储器 (SRAM) – NOR 闪存/OneNAND 闪存 – PSRAM（4 个存储体） – 带有 ECC 硬件的 NAND 闪存，可校验高达 8 KB 的数据 • 与同步 DRAM（SDRAM/Mobile LPSDR SDRAM）存储器接口 • 支持突发模式，可更快地访问同步设备，例如 NOR 闪存、PSRAM 和 SDRAM • 可编程连续时钟输出，用于异步和同步访问 • 8、16 或 32 位宽数据总线 • 每个存储体均具有独立的片选控制 • 每个存储体均具有独立的配置 • 写使能和字节通道选择输出，可用于 PSRAM、SRAM 和 SDRAM 设备 • 外部异步等待控制 • 16 x 32 位深度的写 FIFO 写 FIFO 适用于所有存储器控制器，包括： – 写数据 FIFO，存储待写入存储器的数据 – 写地址 FIFO，用于存储地址（最多 28 位）加上数据大小（最多 2 位）。在突发模式下工作时，仅存储起始地址， 除非跨越页边界（对于 PSRAM 和 SDRAM）。在这种情况下，突发会被拆分成两个 FIFO 条目。 • 为 SDRAM 控制器提供 6 x64 位深度（6 x14 位地址标记）的可缓存读取 FIFO。

启动时，FMC 引脚必须由用户应用程序配置。应用程序未使用的 FMC I/O 引脚可用于其他用途。更详细地讲，

在系统启动时就需要根据外部设备类型和相关特性设置好FMC寄存器参数，并且直到系统再次复位或上电前不能再次修改FMC绝大多数的寄存器参数，除了极少部分on-the-fly特性的FMC寄存器比特位可以被再次修改，他们是：

• FMC_PCR 寄存器中的 ECCEN 和 PBKEN 位

• FMC_SR 寄存器中的 IFS、IRS 和 ILS 位

• FMC_SDCMR 寄存器中的 MODE[2:0]、CTB1/CTB2、NRFS 和 MRD 位

• FMC_SDRTR 寄存器中的 REIE 和 CRE 位。

当FMC使能时，需要按照如下流程去修改FMC的参数：

1. 首先禁用 FMC，以防止在修改寄存器期间进一步访问任何内存控制器。

2. 更新所有必需的配置。

3. 再次启用 FMC。

使用 SDRAM 控制器时，如果在初始化阶段后需要修改 SDCLK 时钟比或刷新率，则必须遵循以下步骤。

1. 将 SDRAM 设备置于自刷新模式。

2. 通过复位 FMC_BCR1 寄存器中的 FMCEN 位来禁用 FMC。

3. 更新所需参数。

4. 一旦所有参数更新完成后，立即启用 FMC。

5. 最后，发送“时钟配置启用”命令退出自刷新模式。

FMC 内部模块分析

FMC由以下几个内部硬件电路模块组成：

• NOR Flash/PSRAM/SRAM 控制器；

• NAND Flash 控制器；

• SDRAM 控制器；

• AXI 总线接口；

• APB 总线接口(including the FMC configuration registers)；内部模块框图如下：

FMC 内部信号

AHB interface

内部 CPU 核心通过 AHB 从机接口访问 FMC 寄存器。

AHB 总线时钟为访问 FMC 寄存器提供参考时钟。

AXI interface

内部 CPU 核心和其他总线上的主设备通过 AXI 从机接口访问外部存储设备。

AXI总线上的业务数据，会被转换成外部设备协议。由于 AXI 数据总线为 64 位宽，AXI 业务数据可能会根据访问数据的大小被拆分成多个连续的 32 位、16 位或 8 位访问。FMC 片选 (FMC_NEx) 不会在连续的访问之间切换。

当以下条件被触发后，FMC就会产生一个AXI从机错误：

• 读取或写入未启用的 FMC 存储区（存储区 1 至 4）。

• 在 FMC_BCRx 寄存器中的 FACCEN 位复位时读取或写入 NOR 闪存存储区。

• 写入具有写保护的 SDRAM 存储区（FMC_SDCRx 寄存器中的 WP 位被置位）。

• 超出 SDRAM 地址范围（访问保留地址范围）。

• 在 SDRAM 存储区尚未初始化时尝试对其进行读/写访问。

当 BMAP[1:0] 配置的 FMC bank 基地址不支持 ADDR[31:28] 里的地址，FMC 便会产生一个 AXI 解码错误。

The kernel clock for the FMC is the asynchronous fmc_ker_ck clock (refer to Section 8: Reset and Clock Control (RCC) for fmc_ker_ck clock source selection).

AXI支持的存储和业务类型

通用规则

AXI总线上的请求业务数据尺寸可以是8/16/32/64位，然而接收访问的外部存储设备必须具有固定的数据宽度。

单词学习：whereas ：compared with the fact that; but: 意思是：即使前面描述的是客观事实，但是xxxx

比如，You eat a huge plate of food for lunch, whereas I have just a sandwich. 你已然吃了很多午餐了，但我仅仅吃了一个三明治。

只有当AXI业务数据宽度与外部设备数据宽度一致时，才能发挥AXI总线数据传输的最大性能。

当AXI业务数据宽度与外部设备的数据宽度不一致时：

1. AXI业务数据宽度大于设备数据宽度时，

   • 读写业务：FMC会将AXI业务数据宽度分割成较小的连续访问，以符合外部设备数据宽度。

2. AXI业务数据宽度小于外部设备数据宽度且外部设备(SRAM, PSRAM, SDRAM)支持字节选择时，

   • 写业务：FMC 使用字节通道信号管理事务。

   • 读业务：FMC 根据外部设备的数据宽度返回所有字节。无用的字节将被系统丢弃。

3. AXI业务数据宽度小于外部设备数据宽度且外部设备 (NOR and NAND flash memories)不支持字节选择时，

   • 写业务：FMC 写入一些不相关的字节，可能会损坏外部设备。

   • 读业务：FMC 根据外部设备的数据宽度返回所有字节。无用的字节将被系统丢弃。

注意：地址对齐

1. FMC 不支持地址未对齐的读取业务请求（例如，从奇数地址开始的半字）。

2. FMC 会根据外部设备是否支持字节选择特性来决定是否支持地址未对齐的写入事务。 如果外部设备不支持字节选择（NOR 和 NAND 闪存）特性，则FMC将不会支持窄写入事务和/或未对齐的写入事务，因为 FMC 会写入不相关的字节并损坏外部设备。

对 NOR 闪存/PSRAM 和 SDRAM 的封装支持

同步存储器必须配置为未定义长度的线性突发模式，因为并非所有主设备都能支持数据经过封装的业务。 如果主设备生成封装事务： • 读取操作将被拆分为两个线性突发事务。 • 如果启用了写入 FIFO，则写入操作将被拆分为两个线性突发事务；如果禁用了写入 FIFO，则写入操作将被拆分为多个线性突发事务。

外部设备地址的映射

从FMC的视角去看，外部存储设备被划分为数个256M字节大小的块区（bank）。

Bank1: NOR/PSRAM/SRAM，(4x64MB)可用于高达4个外部 NOR flash 或者 PSRAM 存储设备。此区块1被划分为4个 NOR/PSRAM 子存储区块，且支持子区块片选特性：

– Bank 1 - NOR/PSRAM 1 – Bank 1 - NOR/PSRAM 2 – Bank 1 - NOR/PSRAM 3 – Bank 1 - NOR/PSRAM 4

Bank2: SDRAM Bank1，(4x64MB)供外部 SDRAM 存储设备使用。SDRAM bank 1 or SDRAM bank 2 depending on BMAP bits configuration。

Bank3: NAND Flash， (4x64MB)用于外部 NAND flash 设备寻址。此区块的MPU存储属性必须配置成 software to Device。

Bank4: Not used ，(4x64MB)保留，FMC无法使用。

Bank5: SDRAM Bank1: (4x64MB) 用于 SDRAM 设备寻址（一个设备独占一个bank）。

Bank6: SDRAM Bank2: (4x64MB) 用于 SDRAM 设备寻址（一个设备独占一个bank）。

可以通过 FMC_BCR1 寄存器中的 BMAP[1:0] 位修改 FMC 存储体映射。表 154 显示了将 NOR/PSRAM 存储体与 SDRAM 存储体交换或重新映射 SDRAM 存储体 2 的配置，从而允许以两个不同的地址映射访问 SDRAM 存储体。

习惯上，称一级bank为FMC bank + 数字标号，称二级bank为外部设备bank + 数字标号.

NOR/PSRAM 地址映射

[todo]

NAND flash 地址映射

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SDRAM 地址映射

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NOR flash/PSRAM 控制器

[todo]

NAND flash 控制器

[todo]

SDRAM 控制器

SDRAM 控制器主要特性

SDRAM 控制器支持如下主要特性：

• 支持两个可独立配置 SDRAM banks；

• 支持 8/16/32 数据总线宽度；

• 13位数行地址，11位数列地址，4个内部子banks: 4x16Mx32bit (256 MB), 4x16Mx16bit (128 MB), 4x16Mx8bit (64 MB)；

• 支持以字、半字、字节形式访问；

• SDRAM时钟可以是 fmc_ker_ck/2 or fmc_ker_ck/3；

• 行和bank边界的自动化管理；

• banks之间的来回往复访问；

• 可编程的时序参数；

• 支持可编程刷新率的自动刷新操作；

• 自我刷新模式；

• 掉电模式；

• 通过软件方式上电初始化SDRAM；

• 列地址选通延迟等级配置：等级1，等级2，等级3；

• 可缓存的读 FIFO，深度为 6 行 x32 位（6 x14 位地址标签）；

CAS（Column Address Strobe）Latency（列地址选通延迟）是 SDRAM 的核心时序参数，在 STM32H743 的 FMC SDRAM 控制器中，它决定了从发出读命令到数据输出的延迟时钟周期数。

SDRAM 外部存储接口信号

最开始，必须配置那些规划被 "FMC SDRAM控制器"用来与“外部SDRAM存储设备”通信的 ”SDRAM 引脚” ，那些余下的 SDRAM 引脚可以另做他用。

SDRAM 控制器功能描述

SDRAM控制器所有的输出（信号、地址、数据）都是在存储时钟(FMC_SDCLK)的下降沿做出改变。

初始化 SDRAM

SDRAM的初始化序列有软件负责管理。如果使用两个存储槽（banks），那么必须通过设置 FMC_SDCMR 寄存器里的命中存储槽Bank1/Bank2的对应的 CTB1 和 CTB2 位同时向Bank1和Bank2发出SDRAM的启动序列。

1. 将外部存储设备的特性写入到 FMC_SDCRx 寄存器内。 SDRAM 时钟频率、RBURST 和 RPIPE 是必须要写入到 FMC_SDCR1 寄存器内的。

2. 将外部存储设备的时序特性写入到 FMC_SDTRx 寄存器内。TRP和TRC时序参数必须写入到 FMC_SDTR1 寄存器内。

3. 设置 FMC_SDCMR 寄存器内的 MODE 位为 ‘001’ ，并配置其中的命中的bank位 Target Bank bits (CTB1 and/or CTB2)，便开始向外部存储设备输送时钟信号（SDCKE被驱动为高）。

4. 等待"规定"的延迟时间。典型延迟时间约为 100 μs（有关上电后所需的延迟时间，请参阅 SDRAM 数据手册）。

5. 将 FMC_SDCMR 寄存器内的模式位设置为 ‘010’ 且配置好目标存储槽对应的比特位(CTB1 and/or CTB2)，发出“预充所有”的命令。

6. 将 MODE 位设置为“011”，并配置目标存储区位（CTB1 和/或 CTB2）以及 FMC_SDCMR 寄存器中的连续自动刷新命令 (NRFS) 数量。有关应发出的自动刷新命令数量，请参阅 SDRAM 数据手册。典型数量为 8。

7. 配置 MRD 字段，将 MODE 位设置为“100”，并配置 FMC_SDCMR 寄存器中的目标存储区位（CTB1 和/或 CTB2），以发出“加载模式寄存器”命令并对 SDRAM 设备进行编程。具体来说，必须将突发长度 (BL) 设置为“1”，并选择 CAS 延迟。如果两个 SDRAM 存储区的模式寄存器不同，则必须重复此步骤两次，每个存储区各一次，并相应地设置目标存储区位。对于移动 SDRAM 设备，MRD 字段还用于在发出“加载模式寄存器”命令时配置扩展模式寄存器。

8. 把刷新速率写入 FMC_SDRTR 寄存器内。 刷新率对应于刷新周期之间的延迟。其值必须正确适配外部的 SDRAM 存储设备。

此时，SDRAM 设备已准备好接受命令。如果在 SDRAM 接收访问期间发生系统复位，数据总线可能仍由 SDRAM 设备驱动。因此，在 NOR 闪存/PSRAM/SRAM 或 NAND 闪存控制器发出任何新的访问之前，必须先复位紧接着重新初始化 SDRAM 设备。

注意：If two SDRAM devices are connected to the FMC, all the accesses performed at the same time to both devices by the Command Mode register (Load Mode Register command) are issued using the timing parameters configured for SDRAM Bank 1 (TMRD andTRAS timings) in the FMC_SDTR1 register. 如果 FMC 连接了两个 SDRAM 外部存储设备，那么使用命令模式寄存器同时对两个外部存储设备执行的所有访问，将都使用 FMC_SDTR1 寄存器内为SDRAM Bank 1配置的 TMRD andTRAS timings 位设定的时序发出。

SDRAM 控制器的写周期

SDRAM 控制器接受单次和突发写入请求，并将其转换为单次内存访问。在这两种情况下，SDRAM 控制器都会跟踪每个存储体的活动行，以便能够对不同的存储体执行连续的写入访问（多存储体乒乓访问）。

在执行任何写访问之前，必须通过清除 FMC_SDCRx 寄存器中的 WP 位来失能 SDRAM 的 Bank 写保护。

SDRAM 控制器始终检查下一次访问。 • 如果下一次访问位于同一行或另一个活动行，则执行写入操作； • 如果下一次访问的目标是另一行（非活动行），则 SDRAM 控制器生成预充电命令，激活新行并发起写入命令。

SDRAM 控制器的读周期

SDRAM 控制器接受单次和突发读取请求，并将其转换为单次内存访问。在这两种情况下，SDRAM 控制器都会跟踪每个存储体中的活动行，以便能够在不同的存储体中执行连续的读取访问（多存储体乒乓访问）。