ASE28N50-ASEMI高压N沟道MOS管ASE28N50

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ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(VSD)为1.4V，其中有3条引线。

ASE28N50参数描述

型号：ASE28N50

封装：TO-247

特性：N沟道高压MOS管

电性参数：28A 500V

正向电流(Io)：28A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：200mΩ

功耗（PD）：300W

二极管正向电压(VSD)：1.4V

最大脉冲正向电流ISM：110A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA

工作温度：-55~+150℃

引线数量：3

 

ASE28N50是TO-247封装系列。它的本体长度为21.1mm，加引脚长度为41.42mm，宽度为16.13mm，高度为5.21mm，脚间距为5.44mm。

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