半导体退火那些事（3）

4.半导体退火设备

双腔全自动兼容6-8寸快速退火炉RTP

产地:中国
型号: S803
特点: 室温到1250°C，应用于SiC，GaN等第三代半导体领域

简介 (Description)
S803系列自动快速退火炉，内置Robot可以自动取放片，适用于最大8英寸 (单片200mm200mm及6英寸 (单片150mm150mm) 硅片、第二代、第三代化合物材料等 (包括但不限于，确化稼，碳化硅，氮化嫁等各类衬底和外延片)，拥有出色的热源和结构设计，独有专利的温度控制系统，能更为精准进行温控操作，可视化软件平台，也实时对温度进行监控并矫正，保证工艺的稳定性和重复性。双面加热方式与单面加热相比，可以大幅减小图案加载效应，晶片上的热的均匀性将更好。多路气体配置(可定制更多)，配置真空腔体，整机通过Semi认证。设备国产化率达到90%，配件渠道丰富。

设备主要工艺应用 (Application)

快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN):
离子注入/接触退火
高温退火;
高温扩散:
金属合金；
热氧化处理

设备主要应用领域 (Field)

化合物半导体 (磷化钢、砷化、氮化物、碳化硅等) ;
MEMS等传感器
二极管、MOSFET及IGBT等功率器件