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四款坚固耐用、小尺寸、1EDB9275F、1EDS5663H、1EDN9550B、1EDN7512G单通道栅极驱动器IC

1、1EDB9275F 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器(PG-DSO-8)

EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。

栅极驱动器系列具有+6/-4 ns传输延迟精度,可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行,共模瞬态抗扰性(CMTI)超过300 V/ns,典型输出级箝位速度短至20 ns,输出级欠压锁定(UVLO)为14.4 V。

优势
对开关噪声具有极好的抗扰性
基于硬件的安全工作区保护(SOA)
启动期间的直通保护
极低的MOSFET开关损耗 
死区时间损失极低

特征描述
3 kVrms 磁电隔离
符合UL 1577认证标准
300 V/ns共模瞬态抗扰性(CMTI)
输出阻抗
95 Ω (典型值)源极
48 Ω (典型值)漏极
+6/-4ns传播延迟精度
20 ns(典型值)输出夹紧速度
14.4 V的欠压锁定(UVLO)

2、1EDS5663H GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT(PG-DSO-16)

新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压, 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作,同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。

技术:磁耦合
通道数:1
电压 - 隔离:5700Vrms
共模瞬变抗扰度(最小值):150V/ns
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):44ns,44ns
脉宽失真(最大):18ns(일반)
上升/下降时间(典型值):6.5ns,4.5ns
电流 - 输出高、低:4A,8A
电流 - 峰值输出:-
电压 - 正向 (Vf)(典型值):-
电压 - 输出供电:3.13V ~ 3.47V
工作温度:-40°C ~ 85°C
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-16-30
认证机构:CQC,CSA,UL,VDE
基本产品编号:1EDS5663

四款坚固耐用、小尺寸、1EDB9275F、1EDS5663H、1EDN9550B、1EDN7512G单通道栅极驱动器IC —— 明佳达

3、1EDN9550B 具有真差分输入的单通道非隔离式栅极驱动器IC(PG-SOT23-6)

1EDN8550B是一款非隔离式栅极驱动器IC,采用小型SOT-23封装。它具有真正的差分输入,可在以下方面实现具有出色功率密度的高性价比解决方案:

采用开尔文源MOSFET的升压PFC
同步整流阶段
控制IC和栅极驱动器IC之间距离较长的设计
降压-升压转换器
低压和中压半桥
高密度48V至12V中间总线转换器

特征描述
•真差分输入
•4A源电流
•8A灌电流
•独立的源/汇输出
•低电阻输出级
•最小输入脉冲宽度:29ns
•-7 ns/+10 ns传播延迟精度
•输出的5A反向电流鲁棒性
•15V UVLO版本
•SOT-23封装,6引脚

优势
•坚固耐用
•小尺寸
•PCB布局灵活
•高功率密度
•上市时间短

4、1EDN7512G 坚固,低温,快速,单通道低侧边4/8 A栅极驱动器IC(PG-WSON-6)

单通道MOSFET栅极驱动器IC是控制IC与功能强大的MOSFET和GaN开关器件之间的关键要素。栅极驱动器IC可实现系统级高效率,出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。

 1EDN 系列:快速,精确,强大且兼容

  • 通过较短的5ns转换速率实现高效SMPS,具有±5ns传播延迟精度,可实现快速MOSFET和GaN开关
  • 独立的拉/灌电流输出简化应用设计
  • 工业标准封装和引脚输出便于系统设计升级

驱动配置:低端
通道类型:单路
驱动器数:1
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:4.5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH:-
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):4A,8A
输入类型:反相,非反相
上升/下降时间(典型值):6.5ns,4.5ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:PG-WSON-6-1
基本产品编号:1EDN7512

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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