Flash存储

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一、MCU读写擦除Flash步骤

1、写flash步骤：

2、读flash步骤：

3、擦除flash步骤：

4、要注意的地方：

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一、MCU读写擦除Flash步骤

1、写flash步骤：

(1)解锁

2、读flash步骤：

3、擦除flash步骤：

STM32 的页擦除过程:

4、要注意的地方：

(1) flash的总大小，代码占用的大小，每一个扇区对应的每一页的大小；

(2) 一般flash擦除次数都是10万次左右，一旦用完这些擦除/写入次数，芯片就报废了；

(3) Flash存储器通常被分为块、扇区、页，一般可以按块、扇区、页擦除，但每个芯片的flash都会不一样，要具体说明；

(4) flash的写入，擦除都是需要时间的，注意此时会不会引发看门狗导致复位；

(5)在对 STM32F4xx 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。这意味着，写/擦除操作进行期间不能从 Flash 中执行代码或数据获取操作。

(6)检查 FLASH_SR 寄存器中的 BSY 位，以确认当前未执行任何 Flash 操作； 

(7)在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行。 这意味着，写/擦除操作进行期间不能从 Flash 中执行代码或数据获取操作。 

(8)STM32F4 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0xFFFFFFFF），否则无法写入。