【笔记】2.1 半导体三极管（BJT，Bipolar Junction Transistor）

一、结构和符号

1. 三极管结构

常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。各有PNP型和NPN型两种结构。

左图是NPN型硅平面三极管，右图是PNP型锗合金三极管。

从图中可见平面型三极管是先在一块大的金属板上注入杂质使之变成N型，然后再在中间注入杂质使之变成P型，最后在P型的中间注入高浓度的杂质使之变成N型。

合金型三极管则是在一块大的N型金属两端分别注入面积不同、杂质浓度也不同的杂质使之称为P型。

三极管分区：

• 集电区
• 基区
• 发射区

从这三个区域引出三个对应的接口：

• 集电极（collect 用c表示）
• 基极（base 用b表示）
• 发射极（emission 用e表示）

这三个区可以划分为两个PN结：

• 集电结Jc：集电极和基极组成的PN结
• 发射结Je：发射级和基极组成的PN结

（这里的J就是“结”，c/e就是什么级和基极组成PN结。