半导体器件与物理篇5 1~4章课后习题
热平衡时的能带和载流子浓度
例 一硅晶掺入每立方厘米10^{16}个砷原子,求室温下(300K)的载流子浓度与费米能级。
需要用到的公式包括1.本征载流子浓度公式 2.从导带底算起的本征费米能级 2.从本征费米能级算起的费米能级
载流子输运现象
例1:计算在300K下,一迁移率为 1000 c m 2 / ( V ⋅ s ) 1000cm^2/(V\cdot s) 1000cm2/(V⋅s)的电子的平均自由时间和平均自由程。设 m n = 0.26 m 0 m_n=0.26m_0 mn=0.26m0
需要用到的公式包括1.迁移率的计算公式 μ n q = t a u c m n \frac{\mu_n}{q}=\frac{tau_c}{m_n} qμn=mntauc 2.能量均分理论得到的电子动能表达式 1 2 m n v t h 2 = 3 2 k T \frac{1}{2}m_nv_{th}^{2}=\frac{3}{2}kT 21mnvth2=23kT
3.平均自由程的计算式 l t h = v t h ∗ τ c l_{th}=v_{th}*\tau_c lth=vth∗τc 4. m 0 = 0.91 × 1 0 − 30 m_0=0.91 \times 10^{-30} m0=0.91×10−30 5. q = 1.6 × 1 0 9 q=1.6\times 10^9 q=1.6×109 5.室温kt=0.026eV,kt/q=0.026V$
例2:一n型硅晶掺入每立方厘米 1 0 1 6 10^16 1016个磷原子,求其在室温下的电阻率。
需要使用到的公式包括1.浅掺杂能级下的完全电离 2.电导率公式 σ = J E = q ( n μ n + p μ p ) \sigma=\frac{J}{E}=q(n\mu_n+p\mu_p) σ=EJ=q(nμn+pμp) 3.电导率与电阻率的关系式
例3:一硅晶样品掺入每立方厘米 1 0 1 6 10^16 1016个磷原子,若样品的 W = 500 μ m , A = 2.5 × 1 0 − 3 c m 2 , I = 1 m A , B Z = 1 0 − 4 W b / c m 2 ,求其霍耳电压。需要用到的公式包括: 1. n 型半导体霍尔系数的表达式 W=500\mu m,A=2.5\times10^{-3}cm^2,I=1mA,B_Z=10^{-4}Wb/cm^2,求其霍耳电压。 需要用到的公式包括:1.n型半导体霍尔系数的表达式 W=500μm,A=2.5×10−3cm2,I=1mA,BZ=10−4Wb/cm2,求其霍耳电压。需要用到的公式包括:1.n型半导体霍尔系数的表达式R_H=-\frac{1}{np}$ 2.霍尔电压的计算公式 E y = V H W E_y=\frac{V_H}{W} Ey=WVH; p = = J p B z q E y = I A B Z q V H W = I B z W q V H A p==\frac{J_pB_z}{qE_y}=\frac{\frac{I}{A}B_Z}{q\frac{V_H}{W}}=\frac{IB_zW}{qV_HA} p==qEyJpBz=qWVHAIBZ=qVHAIBzW
例4:假设T=300K, 一个n型半导体中,电子浓度在0.1cm的距离中从$1\times 10{18}cm{-3}至 7 × 1 0 17 c m 3 7\times 10^{17}cm^{3} 7×1017cm3作线性变化,计算扩散电流密度。假设电子扩散系数D_n=22.5cm^2/s。
需要用到的公式包括:1.扩散电流密度的计算公式电子扩散电流密度: J n = − q F = q D n d n d x J_n=-qF=qD_n\frac{dn}{dx} Jn=−qF=qDndxdn;总电流密度 J n = q μ n E + q D n d n d x J_n=q\mu_nE+qD_n\frac{dn}{dx} Jn=qμnE+qDndxdn
例5:室温下少数载流子(空穴)于某一点注入一个均匀的n型半导体中,施加一个50V/cm的电场于其样品上,且电场在100us内将这些少数载流子移动了1cm。求少数载流子的漂移速率及扩散系数。
需要用到的公式包括1.漂移速度与路程、时间的关系 2.迁移率的计算式 3.爱因斯坦关系式 D n k T = μ n q \frac{D_n}{kT}=\frac{\mu_n}{q} kTDn=qμn
例6:光照射在一个$n_{n0}=10{14}cm{-3}的砷化镓样品.上,且每微秒产生电子-空穴对 1 0 13 / c m 3 。若 10^{13}/cm^3。若 1013/cm3。若τ_n=τ_p=2\mu s ,求少数载流子浓度的变化。需要用到的公式包括 1. 本征半导体浓度与其他半导体浓度的关系式 2. 复合过程中少子浓度的计算式 , 求少数载流子浓度的变化。 需要用到的公式包括1.本征半导体浓度与其他半导体浓度的关系式 2.复合过程中少子浓度的计算式 ,求少数载流子浓度的变化。需要用到的公式包括1.本征半导体浓度与其他半导体浓度的关系式2.复合过程中少子浓度的计算式p_n=p_{n0}+\tau_pU$ 3.对硅 n i = 9.65 × 1 0 9 c m − 3 n_i=9.65\times10^9cm^{−3} ni=9.65×109cm−3
例8:一n型硅,具有电子亲和力qx=4.05eV及 q V n = 0.2 e V qV_n=0.2eV qVn=0.2eV,计算出室温下被热离化发射的电子浓度 n t h 。假如我们将等效的 q x 降至 0.6 e V , n_{th}。假如我们将等效的qx降至0.6eV, nth。假如我们将等效的qx降至0.6eV,n_{th} 为多少 ? 需要用到的公式包括 1. 热离化电子浓度的计算式 2. 对硅 为多少? 需要用到的公式包括1.热离化电子浓度的计算式 2.对硅 为多少?需要用到的公式包括1.热离化电子浓度的计算式2.对硅Nc=2.86\times10{19}cm[−3}$
pn结
例1:计算一硅p-n结在300K时的内建电势, N A = 1 0 18 c m − 3 N_A=10^{18}cm^{-3} NA=1018cm−3和 N D = 1 0 15 c m − 3 N_D=10^{15}cm^{-3} ND=1015cm−3
需要用到的公式包括1.内建电势与pn结掺杂浓度的关系式 V b i = ψ n − ψ p = k T q l n N A N D n i 2 V_{bi}=\psi_n-\psi_p=\frac{kT}{q}ln\frac{N_AN_D}{n_i^2} Vbi=ψn−ψp=qkTlnni2NAND
例2:一硅单边突变结,其 N A = 1 0 19 c m − 3 , N D = 1 0 16 c m − 3 ,计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场 ( T = 300 K ) 。需要用到的公式包括 1.. 内建电势与 p n 结掺杂浓度的关系式 2. 单边突变结的耗尽区宽度表达式 N_A=10^{19}cm^{-3},N_D=10^{16}cm^{-3},计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T=300K)。 需要用到的公式包括1..内建电势与pn结掺杂浓度的关系式 2.单边突变结的耗尽区宽度表达式 NA=1019cm−3,ND=1016cm−3,计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T=300K)。需要用到的公式包括1..内建电势与pn结掺杂浓度的关系式2.单边突变结的耗尽区宽度表达式W=x_n=\sqrt{\frac{2\varepsilon_s V_{bi}}{qN_B}}$ 3.最大电场的计算式 E m = q N B W ε s E_m=\frac{qN_BW}{\varepsilon_s} Em=εsqNBW
4.真空介电常数\varepsilon_0=8.85\times 10^{-12}F/m 5. 硅的 ε s = 11.7 ε 0 硅的\varepsilon_s=11.7\varepsilon_0 硅的εs=11.7ε0
(算不正确)
例3:对于一浓度梯度为$10{20}cm{-4}的硅线性缓变结,耗尽区宽度为 0.5 μ m 0.5\mu m 0.5μm。计算最大电场和内建电势(T=300K)
需要用到的公式包括1.线性缓变结的最大电场表达式 E m = E ( 0 ) = − q a W 2 8 ε s E_m=E(0)=-\frac{qaW^2}{8\varepsilon_s} Em=E(0)=−8εsqaW2 2.线性缓变结的内建电势表达式 $V_{bi}=\frac{qaW^3}{12\varepsilon_s} 3. 3. 3.N_A=N_D=\frac{aW}{2}
例4:对一硅突变结,其中 N A = 2 × 1 0 19 c m − 3 , N D = 8 × 1 0 15 c m − 3 N_A=2\times10^{19}cm^{-3},N_D=8\times 10^{15}cm^{-3} NA=2×1019cm−3,ND=8×1015cm−3,计算零偏压和反向偏压4V时的结电容(T=300K)
需要用到的公式包括1.内建电势与pn结掺杂浓度的关系式 2.存在外加偏压时的单边突变结的耗尽区宽度表达式 3.扩散电容表达式 C d = A q 2 L p p n 0 e x p ( q V k T ) C_d=\frac{Aq^2L_pp_{n0}}exp(\frac{qV}{kT}) Cd=eAq2Lppn0xp(kTqV)
例5:计算硅p-n结二极管的理想反向饱和电流,其截面积为 A = 2 × 1 0 − 4 c m 2 A=2\times10^{-4} cm^2 A=2×10−4cm2。二极管的参数是: N A = 5 × 1 0 16 c m 3 , N D = 10 × 16 c m − 3 , n i = 9.65 × 10 c m − 3 , D n = 21 c m 2 / s , D p = 10 c m 2 / s , τ p 0 = τ n 0 = 5 × 1 0 − 7 s N_A=5\times 10^{16}cm^3,N_D=10\times {16}cm^{-3},n_i=9.65\times 10cm^{-3},D_n=21cm^2/s ,D_p=10 cm^2/s ,\tau_{p0}=\tau_{n0}=5\times 10^{-7} s NA=5×1016cm3,ND=10×16cm−3,ni=9.65×10cm−3,Dn=21cm2/s,Dp=10cm2/s,τp0=τn0=5×10−7s。
需要用到的公式包括1.饱和电流密度的计算式 J s = q D p p n 0 L p + q D n n p 0 L n J_s=\frac{qD_pp_{n0}}{L_p}+\frac{qD_nn_{p0}}{L_n} Js=LpqDppn0+LnqDnnp0;理想二极管方程式 J = J p ( x n ) + J n ( − x p ) = J s [ e x p ( q V k T ) − 1 ] J=J_p(x_n)+J_n(-x_p)=J_s[exp(\frac{qV}{kT})-1] J=Jp(xn)+Jn(−xp)=Js[exp(kTqV)−1] 2.扩散长度的计算式 L p = D p τ p L_p=\sqrt{D_p\tau_p} Lp=Dpτp 3.电流与电流密度的关系式
例6:一硅p-n结二极管的截面积为 2 × 1 0 − 4 c m 2 。二极管的参数是: 2\times 10^{-4}cm^2。二极管的参数是: 2×10−4cm2。二极管的参数是:N_A=5\times10{16}cm{-3},N_D=10{16}cm3,n_i=9.65\times 109cm{-3},D_n=21 cm2/s,D_p=10cm2/s,\tau_{p0}=\tau_{n0}=5\times10^7 s 。假设 。假设 。假设\tau_g=\tau_p=\tau_n ,计算在 4 V 的反向偏压时,其产生的电流密度。需要用到的公式包括 1. 内建电势与 p n 结掺杂浓度的关系式 2. 耗尽区宽度与内建电势的关系式 3. 在大注入情况下在耗尽区的产生电流的计算式 ,计算在4V的反向偏压时,其产生的电流密度。 需要用到的公式包括1.内建电势与pn结掺杂浓度的关系式 2.耗尽区宽度与内建电势的关系式 3.在大注入情况下在耗尽区的产生电流的计算式 ,计算在4V的反向偏压时,其产生的电流密度。需要用到的公式包括1.内建电势与pn结掺杂浓度的关系式2.耗尽区宽度与内建电势的关系式3.在大注入情况下在耗尽区的产生电流的计算式J_{gen}=\frac{qn_iW}{\tau_g} ,产生寿命 ,产生寿命 ,产生寿命\tau_g$;
(答案不一致)
例7:对于一理想硅p*-n突变结,其$N_D=8\times 10{15}cm{-3}。计算当外加1V正向偏压时,储存在中性区少数载流子每单位面积的数目。空穴的扩散长度是 5 μ m 5\mu m 5μm。
需要用到的公式包括1.在正向偏压下少数载流子越过结注入的每单位面积电荷的计算式 Q p = q L p p n 0 [ e x p ( q V k T − 1 ] Q_p=qL_pp_{n0}[exp(\frac{qV}{kT}-1] Qp=qLppn0[exp(kTqV−1]
例8:计算硅单边p*-n突变结的击穿电压,其 N D = 5 × 1 0 16 c m − 3 N_D=5\times 10^{16}cm^{-3} ND=5×1016cm−3
图片:
需要用到的公式包括1.单边突变结的击穿电压表达式: V B = E c W 2 = ε s E c 2 2 q N B − 1 V_B=\frac{E_cW}{2}=\frac{\varepsilon_sE_c^2}{2q}N_B^{-1} VB=2EcW=2qεsEc2NB−1;线性缓变结的击穿电压: V B = 2 E c W 3 = 4 E c 3 / 2 3 ( 2 ε s q ) 1 / 2 α − 1 / 2 ;轻掺杂侧的浓度 V_B=\frac{2E_cW}{3}=\frac{4E_c^{3/2}}{3}(\frac{2\varepsilon_s}{q})^{1/2}\alpha^{-1/2};轻掺杂侧的浓度 VB=32EcW=34Ec3/2(q2εs)1/2α−1/2;轻掺杂侧的浓度N_B ;半导体介电常数 ;半导体介电常数 ;半导体介电常数\varepsilon_s ;浓度梯度 ;浓度梯度 ;浓度梯度\alpha$
例9:考虑一理想突变异质结,其内建电势为1. 6V。在半导体1和2的掺杂浓度为施主$1\times 10{16}cm{-3}和受主 3 × 1 0 19 c m − 3 ,且介电常数分别为 12 和 13. 求在热平衡时,各材料的静电势和耗尽区宽度。需要用到的公式包括 1. 异质结的内建电势计算式 3\times 10^{19}cm^{-3},且介电常数分别为12和13.求在热平衡时,各材料的静电势和耗尽区宽度。 需要用到的公式包括1.异质结的内建电势计算式 3×1019cm−3,且介电常数分别为12和13.求在热平衡时,各材料的静电势和耗尽区宽度。需要用到的公式包括1.异质结的内建电势计算式V_{b1}=\frac{varepsilon_2N_2(V_{bi}-V)}{\varepsilon_1N_1+\varepsilon_2N_2} ; ; ;V_{b2}=\frac{varepsilon_1N_1(V_{bi}-V)}{\varepsilon_1N_1+\varepsilon_2N_2}$ 2.异质结的耗尽区宽度计算式 x 1 = 2 ε 1 q N 1 V b 1 x_1=\sqrt{\frac{2\varepsilon_1}{qN_1} V_{b1}} x1=qN12ε1Vb1, x 2 = 2 ε 2 q N 2 V b 2 x_2=\sqrt{\frac{2\varepsilon_2}{qN_2} V_{b2}} x2=qN22ε2Vb2
双极型晶体管及相关器件
例1:已知在一理想晶体管中,各电流成分为: I E p = 3 m A 、 I E n = 0.01 m A 、 I C p = 2.99 m A 、 I C p = 0.001 m A I_{Ep}=3mA、I_{En}=0.01mA、I_{Cp}=2.99mA、I_{Cp}=0.001mA IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICp=0.001mA。试求出下列各值:(a)发射效率 γ \gamma γ;(b)基区输运系数 α T \alpha_T αT;©共基电流增益 α 0 \alpha_0 α0;(d) I C B 0 I_{CB0} ICB0。
需要用到的公式包括1.发射效率计算式 γ = I E p I E = I E p I E p + I E n \gamma=\frac{I_{Ep}}{I_E}=\frac{I_{Ep}}{I_{Ep}+I_{En}} γ=IEIEp=IEp+IEnIEp 2.基区输运系数计算式 α T = I C p I E p \alpha_T=\frac{I_{Cp}}{I_{Ep}} αT=IEpICp 3.共基电流增益计算式 α 0 = γ ⋅ α T \alpha_0=\gamma \cdot \alpha_T α0=γ⋅αT 4.发射极电流计算式 5.集电极电流计算式 6.集电极电流与集基极漏电流的关系式 I C = α 0 I E + I C B O I_C=\alpha_0I_E+I_{CBO} IC=α0IE+ICBO; I C B O I_{CBO} ICBO是发射极断路时(即 I E = 0 I_E=0 IE=0)集基(b.c)极间的电流
例2:一个理想的p*-n-p晶体管,其发射区、基区和集电区的掺杂浓度分别为 1 0 19 c m 3 、 1 0 17 c m − 3 和 5 × 1 0 15 c m 3 10^{19}cm^3、10^{17}cm^{-3}和5\times 10^{15}cm^3 1019cm3、1017cm−3和5×1015cm3,而寿命分别为 1 0 − 8 s 、 1 0 − 7 s 和 1 0 − 6 s 10^{-8}s、10^{-7}s和10^{-6}s 10−8s、10−7s和10−6s,假设有效横截面面积A为 0.05 m m 2 0.05mm^2 0.05mm2,且射基结正向偏压在0.6V,试求晶体管的
共基电流增益。其他晶体管的参数为 D E = 1 c m 2 / s 、 D p = 10 c m 2 / s 、 D c = 2 c m 2 / s 、 W = 0.5 μ m D_E=1cm^2/s、D_p=10cm^2/s、Dc=2cm^2/s、W=0.5\mu m DE=1cm2/s、Dp=10cm2/s、Dc=2cm2/s、W=0.5μm。
需要用到的公式包括1.扩散长度的计算式 2.深掺杂区的少子浓度与轻掺杂区掺杂浓度的关系式 n i 2 N B \frac{n_i^2}{N_B} NBni2;热平衡状态下基区的少子浓度 n E 0 = n i 2 N E n_{E0}=\frac{n_i^2}{N_E} nE0=NEni2 3.结内少子浓度与轻掺杂区掺杂浓度的关系式 n C 0 = n i 2 N C n_{C0}=\frac{n_i^2}{N_C} nC0=NCni2 4.由发射区注入基区的空穴电流 I E p ≈ q A D p p n 0 W e x p ( q V E B k T ) I_{Ep}\approx \frac{qAD_pp_{n0}}{W}exp(\frac{qV_{EB}}{kT}) IEp≈WqADppn0exp(kTqVEB) 5.由集电极收集到的空穴电流 I C p = I E p 6. 由基区流向发射区的电子流 I_{Cp}=I_{Ep} 6.由基区流向发射区的电子流 ICp=IEp6.由基区流向发射区的电子流I_{En}=\frac{qAD_En_{EO}}{L_E}[exp(\frac{qV_{EB}}{kT})-1] ;由集电区流向基区的电子流为: ;由集电区流向基区的电子流为: ;由集电区流向基区的电子流为:I_{Cn}=\frac{qAD_Cn_{C0}}{L_C}$ 7.共基电流增益的计算式
例3:已知在一理想晶体管中,各电流成分为 I E p = 3 m A 、 I E n = 0.01 m A 、 I C p = 2.99 m A 、 I C n = 0.001 m A I_{Ep}=3mA、I_{En}=0.01mA、I_{Cp}=2.99mA、I_{Cn}=0.001mA IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICn=0.001mA。求出共射电流增益 β 0 \beta_0 β0,并以 β 0 \beta_0 β0和 I C B O I_{CBO} ICBO表示 I C E O I_{CEO} ICEO,并求出 I C E O I_{CEO} ICEO的值。
需要用到的公式包括1.发射效率计算式 2.基区输运系数计算式 3.共基电流增益 4.用共基电流增益表示的集电极电流与发射极电流关系式 I C E 0 = β 0 I C B 0 + I C B 0 I_{CE0}=\beta_0I_{CB0}+I_{CB0} ICE0=β0ICB0+ICB0 5.共射电流增益计算式 β 0 = α 0 1 − α 0 \beta_0=\frac{\alpha_0}{1-\alpha_0} β0=1−α0α0
相关文章:

半导体器件与物理篇5 1~4章课后习题
热平衡时的能带和载流子浓度 例 一硅晶掺入每立方厘米10^{16}个砷原子,求室温下(300K)的载流子浓度与费米能级。 需要用到的公式包括1.本征载流子浓度公式 2.从导带底算起的本征费米能级 2.从本征费米能级算起的费米能级 载流子输运现象 例1:计算在300K下&#x…...

Pytest-Bdd-Playwright 系列教程(16):标准化JSON报告Gherkin格式命令行报告
Pytest-Bdd-Playwright 系列教程(16):标准化JSON报告&Gherkin格式命令行报告 前言一、创建Feature文件二、创建步骤定义文件三、生成Cucumber格式的JSON报告四、使用Gherkin格式的命令行报告五、将BDD报告集成到Jenkins中总结 前言 在自动…...

机器学习之学习范式
机器学习的四种主要范式分别是:监督学习、非监督学习、强化学习和半监督学习。以下是每种范式的详细介绍: 1. 监督学习(Supervised Learning) 定义: 通过已标注的数据训练模型,以预测或分类未知数据。 目…...

PHPstudy中的数据库启动不了
法一 netstat -ano |findstr "3306" 查看占用该端口的进程号 taskkill /f /pid 6720 杀死进程 法二 sc delete mysql...

鸿蒙开发-ArkTS 创建自定义组件
在 ArkTS 中创建自定义组件是一个相对简单但功能强大的过程。以下是如何在 ArkTS 中创建和使用自定义组件的详细步骤: 一、定义自定义组件 使用Component注解:为了注册一个组件,使其能够在其他文件中被引用,你需要使用Component…...

记录学习《手动学习深度学习》这本书的笔记(五)
这一章是循环神经网络,太难了太难了,有很多卡壳的地方理解了好久,比如隐藏层和隐状态的区别、代码的含义(为此专门另写了一篇【笔记】记录对自主实现一个神经网络的步骤的理解)、梯度计算相关(【笔记】记录…...

【Qt】Qt+Visual Studio 2022环境开发
在使用Qt Creator的过程中,项目一大就会卡,所以我一般都是用VS开发Cmake开发, 在上一篇文章中,我已经安装了CMake,如果你没有安装就自己按一下。 记得配置Qt环境变量,不然CMake无法生成VS项目:…...

云计算HCIP-OpenStack04
书接上回: 云计算HCIP-OpenStack03-CSDN博客 12.Nova计算管理 Nova作为OpenStack的核心服务,最重要的功能就是提供对于计算资源的管理。 计算资源的管理就包含了已封装的资源和未封装的资源。已封装的资源就包含了虚拟机、容器。未封装的资源就是物理机提…...

HCIA-Access V2.5_3_2_VLAN数据转发
802.1Q的转发原则--Access-Link 首先看一下Access,对于Access端口来说, 它只属于一个VLAN,它的VLANID等于PVID。 首先看一下接收方向,前面说过交换机内部一定要带标签转发,所以当交换机接收到一个不带tag的数据帧时,会给它打上端…...
transformer学习笔记-导航
本系列专栏,主要是对transformer的基本原理做简要笔记,目前也是主要针对个人比较感兴趣的部分,包括:神经网络基本原理、词嵌入embedding、自注意力机制、多头注意力、位置编码、RoPE旋转位置编码等部分。transformer涉及的知识体系…...
功能篇:JAVA后端实现跨域配置
在Java后端实现跨域配置(CORS,Cross-Origin Resource Sharing)有多种方法,具体取决于你使用的框架。如果你使用的是Spring Boot或Spring MVC,可以通过以下几种方式来配置CORS。 ### 方法一:全局配置 对于所…...
防火墙内局域网特殊的Nginx基于stream模块进行四层协议转发模块的监听443 端口并将所有接收转发到目标服务器
在一些特殊场合下, 公司内部网络防火墙限制, 不能做端口映射, 此时可以使用nginx的做从四层协议转发, 只走tcp/ip协议, 而不走http方式, 可以做waf设置, 就可以做443, 或其它端口, 从而达到被直接转发到远程服务器效果 机房只映射了一个IP:22280, 而需求是这个SDK只能通过…...
【Hive】-- hive 3.1.3 伪分布式部署(单节点)
1、环境准备 1.1、版本选择 apache hive 3.1.3 apache hadoop 3.1.0 oracle jdk 1.8 mysql 8.0.15 操作系统:Mac os 10.151.2、软件下载 https://archive.apache.org/dist/hive/ https://archive.apache.org/dist/hadoop/ 1.3、解压 tar -zxvf apache-hive-4.0.0-bin.tar…...
C++ STL 队列queue详细使用教程
序言 我们平常写广搜什么,上来就是一句 queue<XXX> qu; 说明队列时很重要的。 STL库中的queue把队列的各种操作封装成一个类,非常方便,信奥中使用它也是很有优势的。 目录 一、队列的定义 二、创建队列对象 三、队列的初始化 四、常…...

【前端】JavaScript 中的 filter() 方法的理论与实践深度解析
博客主页: [小ᶻ☡꙳ᵃⁱᵍᶜ꙳] 本文专栏: 前端 文章目录 💯前言💯filter() 方法的概念与原理1. 什么是 filter()?2. 基本工作原理3. 方法特点4. 用法格式参数解析 💯代码案例详解示例:筛选有效数字并…...

【机器学习算法】——决策树之集成学习:Bagging、Adaboost、Xgboost、RandomForest、XGBoost
集成学习 **集成学习(Ensemble learning)**是机器学习中近年来的一大热门领域。其中的集成方法是用多种学习方法的组合来获取比原方法更优的结果。 使用于组合的算法是弱学习算法,即分类正确率仅比随机猜测略高的学习算法,但是组合之后的效果仍可能高于…...

JVM运行时数据区内部结构
VM内部结构 对于jvm来说他的内部结构主要分成三个部分,分别是类加载阶段,运行时数据区,以及垃圾回收区域,类加载我们放到之后来总结,今天先复习一下类运行区域 首先这个区域主要是分成如下几个部分 下面举个例子来解释…...

Navicat for MySQL 查主键、表字段类型、索引
针对Navicat 版本11 ,不同版本查询方式可能不同 1、主键查询 (重点找DDL!!!) 方法(1) :右键 - 对象信息 - 选择要查的表 - DDL - PRIMARY KEY 方法(2&…...

如何在谷歌浏览器中实现自定义主题
在数字化时代,个性化设置已成为提升用户体验的重要一环。对于广泛使用的谷歌浏览器而言,改变默认的浏览器主题不仅能够美化界面,还能在一定程度上提升使用效率和愉悦感。本文将详细介绍如何在谷歌浏览器中实现自定义主题,包括从官…...

visual studio 2022 c++使用教程
介绍 c开发windows一般都是visual studio,linux一般是vscode,但vscode调试c不方便,所以很多情况都是2套代码,在windows上用vs开发方便,在转到linux。 安装 1、官网下载vs2022企业版–选择桌面开发–安装位置–安装–…...

大数据学习栈记——Neo4j的安装与使用
本文介绍图数据库Neofj的安装与使用,操作系统:Ubuntu24.04,Neofj版本:2025.04.0。 Apt安装 Neofj可以进行官网安装:Neo4j Deployment Center - Graph Database & Analytics 我这里安装是添加软件源的方法 最新版…...

7.4.分块查找
一.分块查找的算法思想: 1.实例: 以上述图片的顺序表为例, 该顺序表的数据元素从整体来看是乱序的,但如果把这些数据元素分成一块一块的小区间, 第一个区间[0,1]索引上的数据元素都是小于等于10的, 第二…...
在鸿蒙HarmonyOS 5中使用DevEco Studio实现录音机应用
1. 项目配置与权限设置 1.1 配置module.json5 {"module": {"requestPermissions": [{"name": "ohos.permission.MICROPHONE","reason": "录音需要麦克风权限"},{"name": "ohos.permission.WRITE…...

Map相关知识
数据结构 二叉树 二叉树,顾名思义,每个节点最多有两个“叉”,也就是两个子节点,分别是左子 节点和右子节点。不过,二叉树并不要求每个节点都有两个子节点,有的节点只 有左子节点,有的节点只有…...
laravel8+vue3.0+element-plus搭建方法
创建 laravel8 项目 composer create-project --prefer-dist laravel/laravel laravel8 8.* 安装 laravel/ui composer require laravel/ui 修改 package.json 文件 "devDependencies": {"vue/compiler-sfc": "^3.0.7","axios": …...
重启Eureka集群中的节点,对已经注册的服务有什么影响
先看答案,如果正确地操作,重启Eureka集群中的节点,对已经注册的服务影响非常小,甚至可以做到无感知。 但如果操作不当,可能会引发短暂的服务发现问题。 下面我们从Eureka的核心工作原理来详细分析这个问题。 Eureka的…...

佰力博科技与您探讨热释电测量的几种方法
热释电的测量主要涉及热释电系数的测定,这是表征热释电材料性能的重要参数。热释电系数的测量方法主要包括静态法、动态法和积分电荷法。其中,积分电荷法最为常用,其原理是通过测量在电容器上积累的热释电电荷,从而确定热释电系数…...
Mysql8 忘记密码重置,以及问题解决
1.使用免密登录 找到配置MySQL文件,我的文件路径是/etc/mysql/my.cnf,有的人的是/etc/mysql/mysql.cnf 在里最后加入 skip-grant-tables重启MySQL服务 service mysql restartShutting down MySQL… SUCCESS! Starting MySQL… SUCCESS! 重启成功 2.登…...

C# 表达式和运算符(求值顺序)
求值顺序 表达式可以由许多嵌套的子表达式构成。子表达式的求值顺序可以使表达式的最终值发生 变化。 例如,已知表达式3*52,依照子表达式的求值顺序,有两种可能的结果,如图9-3所示。 如果乘法先执行,结果是17。如果5…...

【Linux系统】Linux环境变量:系统配置的隐形指挥官
。# Linux系列 文章目录 前言一、环境变量的概念二、常见的环境变量三、环境变量特点及其相关指令3.1 环境变量的全局性3.2、环境变量的生命周期 四、环境变量的组织方式五、C语言对环境变量的操作5.1 设置环境变量:setenv5.2 删除环境变量:unsetenv5.3 遍历所有环境…...