ISO7320FCQDRQ1数字隔离器LMG1025QDEETQ1半桥GaN驱动器

1、数字隔离器 DGTL ISO 3000VRMS 2CH 8SOIC

型号：ISO7320FCQDRQ1

批次：新

技术：容性耦合

类型：通用

隔离式电源：无

通道数：2

输入 - 侧 1/侧 2：2/0

通道类型：单向

电压 - 隔离：3000Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：25kV/µs

数据速率：25Mbps

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：57ns，57ns

脉宽失真（最大）：4ns

上升/下降时间（典型值）：2.4ns，2.1ns

电压 - 供电：3V ~ 5.5V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

基本产品编号：ISO7320

明佳达电子

ISO732x 低功耗双通道数字隔离器提供符合UL标准的 1 分钟 3000VRMS 的电流隔离，以及符合 VDE 标准的 4242 VPK 隔离。这些器件具有四个隔离通道，其逻辑输入和输出缓冲器。由二氧化硅 (SiO2)绝缘隔栅分离开来。ISO7320 的两个通道方向相同，而 ISO7321 的两个通道方向相反。为防止输入功率或信号损失，后缀为“F”的器件默认输出“低”电平，后缀没有“F”的器件则默认输出“高”电平。当与隔离电源配合使用时，这些器件可防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入局部系统接地并干扰或损坏敏感电路。

2、栅极驱动器 IC MOSFET GAN DRIVER 7A/5A 6-WSO

型号：LMG1025QDEETQ1

批次：新

明佳达电子

驱动配置：低端

通道类型：单路

驱动器数：1

栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电：4.75V ~ 5.25V

逻辑电压 - VIL，VIH：1.8V，1.7V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：7A，5A

输入类型：反相，非反相

上升/下降时间（典型值）：650ps，850ps

工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：表面贴装，可润湿侧翼

封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-WSON（2x2）

基本产品编号：LMG1025

描述：LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器旨在驱动同步降压、升压或半桥配置中的高侧和低侧增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件具有集成的100V自举二极管和独立输入，用于高侧和低侧输出，以实现最大的控制灵活性。使用自举技术生成高侧偏置电压，在5V进行内部钳位。该特性防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅极-源极额定电压。该器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。

应用

电流馈送推挽转换器

半桥和全桥转换器

同步降压转换器

双开关正向转换器

有源钳位正激转换器

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！