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电路笔记 (信号): opa tips 放大器反馈电阻并联电容抑制高频噪声的详细推导(传递函数分析)

1. 高频噪声传递函数分析

(1)电路结构
  • 输入信号通过 R 1 R_1 R1 C NI C_{\text{NI}} CNI 的并联组合连接到运放的同相输入端。
  • 反馈电阻 R 2 R_2 R2 连接在运放的输出端和反相输入端之间。
Layer 1 + - 30p R2 R1 R3=R1//R2 IN OUT 反向放大电路 C NI V NI C 布线寄生电容 等效输入噪声电压 F 20p
  • 参照运算放大器噪声增益和信号增益,等效输入噪声源( V N I V_{NI} VNI)的增益为 A N I = R 1 + R 2 R 1 A_{NI}=\frac{R_1+R_2}{R_1} ANI=R1R1+R2

R 1 + R 2 R 1 = R 2 + { R 1 / / C N I } { R 1 / / C N I } = R 2 + R 1 / / 1 j ω C N I R 1 / / 1 j ω C N I \frac{R_1+R_2}{R_1}=\frac{R_2+\{R_1//C_{NI}\}}{\{R_1//C_{NI}\}}=\frac{R_2+R_1//\frac{1}{j\omega C_{NI}}}{R_1//\frac{1}{j\omega C_{NI}}} R1R1+R2={R1//CNI}R2+{R1//CNI}=R1//CNI1R2+R1//CNI1

(2)输入阻抗和反馈阻抗
  • 输入阻抗 Z in Z_{\text{in}} Zin R 1 R_1 R1 C NI C_{\text{NI}} CNI 的并联组合:
    R 1 / / 1 j ω C NI = R 1 ⋅ 1 j ω C NI R 1 + 1 j ω C NI = R 1 1 + j ω R 1 C NI R_1 // \frac{1}{j\omega C_{\text{NI}}} = \frac{R_1 \cdot \frac{1}{j\omega C_{\text{NI}}}}{R_1 + \frac{1}{j\omega C_{\text{NI}}}} = \frac{R_1}{1 + j\omega R_1 C_{\text{NI}}} R1//CNI1=R1+CNI1R1CNI1=1+R1CNIR1

  • 反馈阻抗 Z f Z_f Zf R 2 R_2 R2

  • 系统的传递函数 H ( j ω ) H(j\omega) H() 是噪声增益 A NI A_{\text{NI}} ANI 的表达式:

A NI = 1 + R 2 R 1 + j ω R 2 C NI A_{\text{NI}} = 1 + \frac{R_2}{R_1} + j\omega R_2 C_{\text{NI}} ANI=1+R1R2+R2CNI

H ( j ω ) = 1 + R 2 R 1 ⏟ 实部 + j ω R 2 C NI ⏟ 虚部 H(j\omega) = \underbrace{1 + \frac{R_2}{R_1}}_{\text{实部}} + \underbrace{j\omega R_2 C_{\text{NI}}}_{\text{虚部}} H()=实部 1+R1R2+虚部 R2CNI

(3)幅频特性(重要)
  • 传递函数的幅值 ∣ H ( j ω ) ∣ |H(j\omega)| H() 为:
    ∣ H ( j ω ) ∣ = ( 1 + R 2 R 1 ) 2 + ( ω R 2 C NI ) 2 \color{red} |H(j\omega)| = \sqrt{\left(1 + \frac{R_2}{R_1}\right)^2 + (\omega R_2 C_{\text{NI}})^2} H()=(1+R1R2)2+(ωR2CNI)2
  • 低频时,幅值接近 1 + R 2 R 1 1 + \frac{R_2}{R_1} 1+R1R2
  • 高频时,幅值随频率线性增加,表现为高通滤波器的特性。
(4)相频特性
  • 传递函数的相位 ϕ ( ω ) \phi(\omega) ϕ(ω) 为:
    ϕ ( ω ) = tan ⁡ − 1 ( ω R 2 C NI 1 + R 2 R 1 ) \phi(\omega) = \tan^{-1}\left(\frac{\omega R_2 C_{\text{NI}}}{1 + \frac{R_2}{R_1}}\right) ϕ(ω)=tan1(1+R1R2ωR2CNI)

  • 低频时,相位接近 0°。

  • 高频时,相位接近 90°,电路引入了相位延迟。

  • 高频噪声的放大可能导致运放的相位裕度降低,引发自激振荡。

2. 优化

(1)降低高频噪声增益
  • 减小 R 2 R_2 R2 C NI C_{\text{NI}} CNI 可以降低高频噪声的放大效应。
  • 在反馈路径中添加一个小电容,与 R 2 R_2 R2 并联,形成低通滤波器,抑制高频噪声。
(2)优化 PCB 布局
  • 缩短输入信号走线,减少寄生电容 C NI C_{\text{NI}} CNI
  • 对敏感信号线进行屏蔽处理,防止外部高频噪声耦合到输入端。
(3)选择低噪声运放
  • 选择具有较低输入噪声和较高带宽的运放,以减小高频噪声的影响。
(4)添加补偿电容 C F \color{red}C_F CF
  • 在反馈路径中添加一个小电容,与反馈电阻并联,形成低通滤波器,抑制高频噪声。

R 1 + R 2 R 1 = { R 1 / / C N I } + { R 2 / / C F } { R 1 / / C N I } = R 1 / / 1 j ω C N I + R 2 / / 1 j ω C F R 1 / / 1 j ω C N I \frac{R_1+R_2}{R_1}=\frac{\{R_1//C_{NI}\}+\{R_2//C_F\}}{\{R_1//C_{NI}\}}=\frac{R_1//\frac{1}{j\omega C_{NI}}+R_2//\frac{1}{j\omega C_{F}}}{R_1//\frac{1}{j\omega C_{NI}}} R1R1+R2={R1//CNI}{R1//CNI}+{R2//CF}=R1//CNI1R1//CNI1+R2//CF1

H ( j ω ) = 1 + R 2 1 + j ω R 2 C F R 1 1 + j ω R 1 C NI = 1 + R 2 R 1 ⋅ 1 + j ω R 1 C NI 1 + j ω R 2 C F \color{red} H(j\omega) = 1 + \frac{ \frac{R_2}{1 + j\omega R_2 C_{\text{F}}} }{ \frac{R_1}{1 + j\omega R_1 C_{\text{NI}}} } = 1 + \frac{R_2}{R_1} \cdot \frac{1 + j\omega R_1 C_{\text{NI}}}{1 + j\omega R_2 C_{\text{F}}} H()=1+1+R1CNIR11+R2CFR2=1+R1R21+R2CF1+R1CNI

  • 幅频特性分析 ∣ H ( j ω ) ∣ |H(j\omega)| H() :

∣ H ( j ω ) ∣ = ∣ 1 + R 2 R 1 ⋅ 1 + j ω R 1 C NI 1 + j ω R 2 C F ∣ |H(j\omega)| = \left| 1 + \frac{R_2}{R_1} \cdot \frac{1 + j\omega R_1 C_{\text{NI}}}{1 + j\omega R_2 C_{\text{F}}} \right| H()= 1+R1R21+R2CF1+R1CNI

为了计算 ∣ H ( j ω ) ∣ |H(j\omega)| H(),我们可以分别计算分子和分母的幅值。

  • 分子的幅值:
    ∣ 1 + j ω R 1 C NI ∣ = 1 + ( ω R 1 C NI ) 2 |1 + j\omega R_1 C_{\text{NI}}| = \sqrt{1 + (\omega R_1 C_{\text{NI}})^2} ∣1+R1CNI=1+(ωR1CNI)2

  • 分母的幅值:
    ∣ 1 + j ω R 2 C F ∣ = 1 + ( ω R 2 C F ) 2 |1 + j\omega R_2 C_{\text{F}}| = \sqrt{1 + (\omega R_2 C_{\text{F}})^2} ∣1+R2CF=1+(ωR2CF)2

因此,传递函数的幅值为:

∣ H ( j ω ) ∣ = ∣ 1 + R 2 R 1 ⋅ 1 + ( ω R 1 C NI ) 2 1 + ( ω R 2 C F ) 2 ∣ \color{red} |H(j\omega)| = \left| 1 + \frac{R_2}{R_1} \cdot \frac{\sqrt{1 + (\omega R_1 C_{\text{NI}})^2}}{\sqrt{1 + (\omega R_2 C_{\text{F}})^2}} \right| H()= 1+R1R21+(ωR2CF)2 1+(ωR1CNI)2

  • 低频特性( ω → 0 \omega \to 0 ω0
    当频率 ω \omega ω 很低时,幅值为:
    ∣ H ( j ω ) ∣ ≈ 1 + R 2 R 1 |H(j\omega)| \approx 1 + \frac{R_2}{R_1} H()1+R1R2

  • 高频特性( ω → ∞ \omega \to \infty ω
    当频率 ω \omega ω 很高时, ω R 1 C NI ≫ 1 \omega R_1 C_{\text{NI}} \gg 1 ωR1CNI1 ω R 2 C F ≫ 1 \omega R_2 C_{\text{F}} \gg 1 ωR2CF1,幅值为:
    ∣ H ( j ω ) ∣ ≈ 1 + C NI C F ( 这时高频噪声增益固定了 ) |H(j\omega)| \approx 1 + \frac{C_{\text{NI}}}{C_{\text{F}}}(这时高频噪声增益固定了) H()1+CFCNI(这时高频噪声增益固定了)

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