Stm32 HAL库 访问内部flash空间

在一些时候，需要存储一些数据，但是又不想接外部的flash，那我们可以知道，其实还有内部的flash可以使用，
需要注意的是内部flash，读写次数有限，所以需要控制擦写次数

首先使用cubmx生成代码，
就是配置时钟和debug口，还有串口信息

代码的部分

串口

/* USER CODE BEGIN PV */
#include "stdio.h"
int fputc(int ch,FILE *f)
{HAL_UART_Transmit (&huart1 ,(uint8_t *)&ch,1,HAL_MAX_DELAY );return ch;
}
/* USER CODE END PV */

配置申明文件

这里配置了地址的申明文件，和flash操作的结构体

需要注意的是，每个芯片都有最大的flash空间，以及代码空间，所以建议在配置地址的时候尽量到地址空间的后面，这样可以防止擦写到代码的空间。

/* USER CODE BEGIN 0 *///debug 查看对应地址，是否正确，如果显示的是问号，则无此位置
//C6T6 32k  最大地址 0x08007FF0
//C8T6 64k  最大地址 0x0800FFE0
#define FLASH_SAVE_ADDR  0x08007000static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES,       //页擦除.PageAddress = FLASH_SAVE_ADDR,                //擦除地址.NbPages = 1                              //擦除页数
};
/* USER CODE END 0 */

main函数

下面就是main函数的配置，
流程就是 擦除->写入数据->读出数据

int main(void)
{HAL_Init();SystemClock_Config();MX_GPIO_Init();MX_USART1_UART_Init();while (1){HAL_FLASH_Unlock();uint32_t PageError = 0;__disable_irq();                             //擦除前关闭中断if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK){printf("擦除 成功\r\n");}__enable_irq();                             //擦除后打开中断uint32_t writeFlashData = 0x55555555;        //待写入的值uint32_t addr = FLASH_SAVE_ADDR;                  //写入的地址HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);HAL_FLASH_Lock();while(1);}/* USER CODE END 3 */
}