全球七家半导体工厂建设受阻：英特尔、三星、台积电等面临延期挑战

过去两年间，半导体行业经历了市场衰退、复苏慢于预期以及资金紧缩等问题，英特尔、台积电和三星等主要企业虽然继续推进扩张计划，但不断调整和放缓工厂建设的步伐与时间表，以更好地服务于长期发展目标。据统计，全球范围内有七座晶圆厂的建设可能面临延期。

### 英特尔德国与俄亥俄州工厂建设延迟

据国际媒体Volksstimme报道，位于德国马格德堡附近的英特尔Fab 29.1和Fab 29.2工厂建设因欧盟补贴审批延迟及黑土处理问题被推迟，开工日期由原定的2024年夏季推至2025年5月。此前，这些芯片厂的建设原计划于2023年上半年启动，但因补贴延迟而延至2024年夏季，且施工场地表土清理工作至少要到2025年5月才能开始。英特尔估计这两座工厂需要四到五年建设周期，生产预计将在2029年至2030年之间启动。

### 三星韩国平泽与美国泰勒工厂建设延缓

2024年2月，三星宣布部分暂停其位于京畿道平泽市第五座半导体工厂的建设。三星原计划在平泽85.5万平方米的场地上建造六座半导体工厂，打造全球最大半导体中心。目前，平泽园区内的P1、P2和P3工厂已运营先进DRAM、NAND闪存及代工生产线，而P4和P5正在建设中。三星表示停工是为了进一步检查，但业内消息指出，这是为了优先建设P4厂的PH2生产线，并可能在P4厂增设PH3产线以生产高端DRAM以满足市场需求。

此外，韩媒Businesskorea透露，三星还推迟了美国得克萨斯州泰勒晶圆厂的大规模生产时间表，由原定的2024年底延至2026年，原因可能包括晶圆代工市场增长放缓、美国政府补贴发放延迟及复杂许可手续问题。

### 台积电亚利桑那州两厂生产计划推迟

4月9日，台积电宣布将在亚利桑那州建立第三座晶圆厂，使用2纳米或更先进技术为客户提供晶圆制造服务，使得亚利桑那州凤凰城的总投资超过650亿美元。同时，台积电首座亚利桑那工厂将于2025年上半年使用4纳米工艺开始生产，第二座原定采用3纳米工艺的工厂改为采用更先进的2纳米工艺，批量生产推迟至2028年，较最初2026年使用3纳米工艺的计划推迟约两年。至于规划中的第三座工厂，台积电尚未公布建设日期，但表示将采用2纳米或更先进技术，预计生产将于2030年代末开始。

### Wolfspeed 8英寸SiC晶圆厂建设或延期至2025年

Wolfspeed在德国萨尔州恩斯多夫的8英寸SiC晶圆厂项目投资约27.5亿欧元，但建设已延期。该项目已获德国联邦政府3.6亿欧元和萨尔州政府1.55亿欧元的补贴，并寻求欧洲芯片法案的财务支持。ZF公司拟向Wolfspeed提供数亿欧元的投资以换取该厂少数股权。行业人士指出，Wolfspeed希望在奠基前获得更多资金，若无法获得欧洲芯片法案的资助，项目很可能会推迟。该工厂原定于2024年夏季动工，但现在CEO Gregg Lowe透露可能推迟至2025年。