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模电基础（晶体管放大电路）

news 2025/7/5 9:22:02

1.放大电路

1.1基本共射放大电路工作原理

1.1.1电路的组成和作用

各器件的作用

（1） $u_I$ （交流电源）：输入电路的有用信号，也就是我们需要去放大的信号

（2） $R_{b1}$ （反馈电阻）：给发射结提供正向偏置电压，决定基极静态电流 $I_B$ 的大小

（3） $V_{CC}$ （总电源）：为放大和整个系统运行提供能量；他存在的意义也是实现我们说的集电结反偏；通过反馈电阻为基极提供合适的电压使晶体管始终工作在导通状态

（4） $R_C$ （集电极电阻）：把放大的电流信号转换为电压信号

（5）C1（耦合电容）：隔离交流，阻碍直流。使A点只有Rb1引入的直流，防止输入存在直流的干扰，而损失输入信号。

（6）C2（耦合电容）：隔离交流，阻碍直流。 $V_{CC}$ 通过 $R_C$ 会将直流输入到输出电压中，而电容C2可以将直流滤除只放大输入的交流信号，较小功耗

（7）Ce（旁路电容）：仍然可以隔直通交，换句话说交流信号直接通过旁路电容接地所以旁路电容和耦合电容的区别是，耦合电容上走的是有用的信号，而旁路走的是交流的接地信号。

（8）Rb2（分压式偏压电阻）：直流部分的两个耦合电容断开，电源分压产生固定的基极偏压。产生国定的A点的电压，稳定静态工作点

（9）Re（负反馈电阻）：便于输出控制输入，负反馈控制。

工作原理

（1）输入回路与输出回路以发射极为公共端；故称之为共射放大电路。在电子电路中，称公共端为“地”。

（2）当 $u_i$ =0时，称放大电路处于静态。在输入回路中，基极电源 $V_{CC}$ 使晶体管b-e间电 $U_{BE}$ 大于开启电压 $U_{on}$ ，并与基极电阻 $R_{b1}$ 共同决定基极电流 $I_B$ ；在输出回路中，集电极电源 $V_{CC}$ 应足够高，使晶体管的集电结反向偏置，以保证晶体管工作在放大状态，因此集电极电流 $I_C=\beta I_B$ ;集电极电阻 $R_c$ 上的电流等于 $I_C$ ，因而其电压为 $I_CR_c$ 。从而确定了c-e间电压 $U_{CE}=V_{CC}-I_CR_c$

（3）当 $u_i$ 不为0时，在输入回路中，必将在静态值的基础上产生一个动态的基极电流 $i_b$ ；当然,在输出回路就得到动态电流 $i_c$ 。集电极电阻 $R_c$ 。将集电结电流的变化转化成电压的变化，使得管压降 $U_{CE}$ 产生变化，管压降的变化量就是输出动态电压 $u_o$ 。从而实现了电压放大。直流电源 $V_{CC}$ 为输出提供所需能量。

1.1.2静态工作点

静态工作点的定义

（1）输入电压 $u_i$ 为零→交流信号为0→这个电路只有直流信号→叫做电路的静态工作状态。

（2）静态工作点=一组参数，基极电流，集电极电流，输人端电压和输出端电压这一组参数的集合（Q表示只有直流，没有交流）

（3）静态工作点：整个系统工作的时候那个工作点，我们系统所有的电流和电压都是在这个中心点上下振荡的

为什么要设置静态工作点

（1）设置静态工作点或者说设置直流偏压的必要性，我们要通过一个直流偏压把交流信号抬起来，让交流信号能够在高位运行，让交流信号不管在正半轴还是负半轴都处于晶体管的放大范围

（2）静态时将输入端将短路，必然得出的结论 $I_{BQ}=0$ 、 $I_{CQ}=0$ 、 $U_{CEQ}\approx V_{CC}$ 的结论，因而晶体管处于截止状态。当输入电压 $u_i$ 时，若输入电压的峰值小于b-e间开启电压 $U_{on}$ ，则在信号的整个周期内晶体管始终工作在截止状态，因而 $U_{CE}$ 毫无变化，输出电压为零；即使 $u_i$ 的幅值足够大，晶体管也只可能在信号正半周大于 $U_{on}$ 的时间间隔内导通，所以输出电压必然严重失真。

（3）对于放大电路的最基本要求，一是不失真，二是能够放大。如果输出波形严重失真，所谓

放大就毫无意义了。因此，设置合适的静态工作点，以保证放大电路不产生失真是非常必要

（4）应当指出(Q点不仅影响电路是否会产生失真)而且影响着放大电路几乎所有的动态参数

1.1.3基本共射放大电路的波形分析

输入波形分析

（1）当有输入电压时，基极电流是在原来的直流分量 $I_{BQ}$ 上叠加一个正弦交流电流 $i_b$ ，因而基极总电流 $i_B=I_{BQ}+i_b$ ，

（2）根据晶体管基极电流对集电极电流的控制作用，集电极电流也会在直流分量 $I_{CQ}$ 的基础上产生一个正弦交流电流 $i_c$ 。而且 $i_c=\beta i_{b}$ ，集电结总电流 $i_C=I_{CQ}+\beta i_b$ 。不难理解，集电极动态电流 $i_c$ 。必将在集电极电阻 $R_c$ 上产生一个与 $i_c$ 波形相同的交变电压。而由于 $R_c$ 上的电压增大时，管压降 $U_{CE}$ 必然减小； $R_c$ 上的电压减小时， $U_{CE}$ 必然增大，所以管压降是在 $U_{CEQ}$ 直流分量的基础上叠加上一个与 $i_c$ 变化方向相反的交变电压，管压降总量 $u_{CE}=U_{CEQ}+u_{ce}$ ，将管压降中的直流分量 $U_{CEQ}$ 去掉就得到一个与输入电压 $u_i$ ,相位相反且放大了的交流电压 $u_o$

（3）从以上分析可知，对于基本共射放大电路，只有设置合适的静态工作点，使交流信号驮载在直流分量之上，以保证晶体管在输入信号的整个周期内始终工作在放大状态,输出电压波形才不会产生非线性失真。基本共射放大电路的电压放大作用是利用晶体管的电流放大作用.并依靠 $R_c$ 将电流的变化转化成电压的变化来实现的。

1.1.4放大电路的组成原则

组成原则

（1）静态工作点合适：合适的直流电源、合适的电路参数

（2）动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。动态信号的意思的我们想要放大的交流信号，意思是交流信号必须要加到晶体管的B和E两端，才能使该信号得以放大

（3）对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。

共地指的是在我们整个系统当中搬有好多电路结构组成，那么我们信号源的接地端，如大电路的接地端直流电源的接地端，以及负载电路的接地端，这几者最好可以等电位

首先我们要放大的信号的交流信号，于是直流分量是无用的，不必要存在的其次直流分量不光是无用的，他还有害的，因为当负载有直流分量就意味着他要消耗直流功率

两种实用的放大电路

（1）在实用电路中，为了防止干扰，常要求输入信号、直流电源、输出信号均有一端接在公共端，即地端，称为共地。这样，电源中的基极电源与集电极电源合二为一

（2）并且为了合理设置静态工作点，在基极回路又增加一个电阻，所示电路中信号源与放大电路、放大电路与负载电阻均直接相连，故称为“直接耦合”，“耦合”即为“连接”。

（3）应当指出 $R_{b1}$ 是必不可少的。试想,若 $R_{b1}=0$ ，则静态时，由于输入端短路， $I_{BQ}=0$ ，晶体管将截止，电路不可能正常工作。 $R_{b1}$ 、 $R_{b2}$ 的取值与 $V_{CC}$ 相配合，才能得到合适的基极电流 $I_{BQ}$ ，合理地选取 $R_C$ ,才能得到合适的管压降 $U_{CEQ}$ 。

（4）当输入信号作用时，由于信号电压所示电路中的 $R_{b1}$ 和 $R_{b2}$ 上均有损失,因而减小了晶体管基极与发射极之间的信号电压，也就影响了电路的放大能力。同时，上述两种电路接入负载后，负载电阻不但有信号电压，还有直流电源作用的结果，即存在直流分量,这常常需要去除。所示电路既解决了“共地”问题，又使一定频率范围内的输如信号几乎毫无损失地加到放大管的输入回路，而且负载电阻上没有直流分量。

（5）电容 $C_1$ 用来连接信号源和放大电路，电容 $C_1$ 用来连接负载和放大电路。在电子电路中起连接作用的电容称为耦合电容，利用这种电容连接电路称为阻容耦合。

（6）电容的复阻抗公式为 $1/jwc$ ，当输入的为直流时，频率几乎不变趋近于0，此时电容的复阻抗将趋近于无穷大，此时对于直流相当于断路。当输入的为交流时，耦合电容的容值应足够大趋近于无穷，此时电容的复阻抗将趋近于0，使其在输入信号频率范围内的容抗小，此时对于交流相当于短路。所以输入信号几乎无损失地加在放大管的基极与发射极之间，可见耦合电容的作用是“隔直通交”，令输入端短路，可以求出静态工作点

1.2放大电路的分析方法

1.2.1直流通路合交流通路

基本概念

（1）直流通路是在直流电源作用下直流电流流经的通路，也就是静态电流流经的通路,用于研究静态工作点。对于直流通路，①电容视为开路;②电感线圈视为短路(即忽略线圈电阻);③信号源视为短路但应保留其内阻

（2）电压源置零→电压源不工作→电压源输出的电压为0(转化成导线)导线输出的电压为0

（3）电流源置零→电流源不工作→电流源输出的电流为0(转化成断路)断路输出的电流为0

（4）交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路,用于研究动态参数。对于交流通I①容量大的电容(如耦合电容)视为短路②无内阻的直流电源(如 $V_{CC}$ )视为短路

直接耦合电路

（1）在直接耦合放大电路中 $R_s$ 为信号源内阻，因此其直流通路为下图所示，从直流通路可以看出直接耦合放大电路的静态工作点即与信号源内阻 $R_s$ 有关，又与负载电阻 $R_L$ 有关。由于直流电源 $V_{CC}$ 对交流信号短路，因此在交流通路中， $R_{b2}$ 并联在晶体管的基极和发射极之间，而集电极电阻 $R_C$ 和负载电阻 $R_L$ 均并联在晶体管的集电极与发射极之间

阻容耦合电路

（1）在阻容耦合放大电路中,信号源内阻为0。对于直流量， $C_1$ 、 $C_2$ 开路，所以直流通路如图所示。对于交流信号 $C_1$ 、 $C_2$ 相当于短路，直流电源 $V_{CC}$ 短路，因而输入电压 $\dot{U_i}$ 加在晶体管基极与发射极之间，基极电阻 $R_b$ 并联在输入端；集电极电阻 $R_c$ 与负载电阻 $R_L$ 并联在集电极与发射极之间并联在输出端。因此,交流通路所示。从直流通路可以看出，由于 $C_1$ 、 $C_2$ 的“隔直”作用，静态工作点与信号源内阻和负载电阻无关。

1.2.2图解法

静态工作点的分析

（1）虚线降晶体管与外电路分开，两条虚线之间为晶体管，虚线之外为电路的其他元件

（2）当输入信号 $\Delta u_I=0$ ，在晶体管的输入回路中，静态工作哦点即应该在晶体管的输入特性曲线上，又应满足外电路的回路方程

$u_{BE}=V_{BB}-i_BR_b$

在输入特性的曲线上，画出这条直线，它与横轴的交点为（ $V_{BB}$ ，0），与纵轴的交点为（0， $V_{BB}/R$ ）,斜率为 $-\frac{1}{R_b}$ 。直线与曲线的交点就是静态工作点Q，其横坐标值为 $U_{BEQ}$ ，纵坐标值为 $I_{BQ}$

（3）在输出特性曲线中，在晶体管的输出回路中，静态工作点中即应在 $I_B=I_{BQ}$ 的那条曲线上，又应该满足外电路的方程

$u_{CE}=V_{CC}-i_CR_c$

在输出特性的曲线上，画出这条直线，它与横轴的交点为（ $V_{CC}$ ，0），与纵轴的交点为（0， $V_{CC}/R$ ）,斜率为 $-\frac{1}{R_c}$ 。并找出 $I_B=I_{BQ}$ 的那条输出特性曲线，该曲线与上述直线的交点就是静态工作点Q，其纵坐标值为 $I_{CQ}$ ，横坐标值为 $U_{CEQ}$

电压放大倍数的分析

（1）当加入输入信号 $\Delta u_I$ 时，输入回路方程为

$u_{BE}=V_{BB}+\Delta u_I-i_BR_b$

该直线与横轴的交点为（ $V_{BB}+\Delta u_I$ ，0），与纵轴的交点为（0， $\frac{V_{BB}+\Delta u_I}{R_b}$ ），但斜率为 $-\frac{1}{R_c}$

（2）在求解电压放大倍数 $A_u$ 时，首先给定 $\Delta u_I$ ，然后作输入回路的负载线，从输入回路负载线与输入特性曲线的交点便可以得到在 $\Delta u_I$ 作用下的基极电流变化量 $\Delta i_B$ ；在输出特性中，找到 $i_B=I_{BQ}+\Delta i_B$ 的那条输出特性曲线，输出回路负载线与曲线的交点为（ $U_{CEQ}+\Delta u_{CE}$ ， $I_{CQ}+\Delta i_{C}$ ）,其中 $\Delta u_{CE}$ 就是输出电压，从而得到电压放大倍数

$A_u=\frac{\Delta u_o}{\Delta u_i}=\frac{\Delta U_{CE}}{\Delta u_i}$

（3）从图解分析可知，当 $\Delta u_I>0$ 时， $\Delta i_B>0$ ， $\Delta i_C>0$ ，而 $\Delta u_{CE}<0$ ；反之当 $\Delta u_I<0$ 时， $\Delta i_B<0$ ， $\Delta i_C<0$ ，而 $\Delta u_{CE}>0$ ；说明输出电压与输入电压的变化相反。在输入回路中，若直流电压 $V_{BB}$ 的数值不变，则基极电阻 $R_b$ 的值愈小，Q点愈高（即 $I_{BQ}$ 和 $U_{BEQ}$ 的值愈大），Q点附近的曲线愈陡，因而在同样的 $\Delta u_I$ 作用下所产生的 $\Delta i_B$ 就愈大，也就意味 $|A_u|$ 降愈大。在输出回路中， $R_c$ 的数值愈小，负载线就愈陡，这就意味着同样的 $\Delta i_C$ 愈小，即 $|A_u|$ 将愈小

波形非线性失真的分析

（1）当Q点过低时，在输入信号负半轴靠近峰值的某段时间内，晶体管b-e间电压总量 $u_{BE}$ 小于开启电压，晶体管截止。因此基极电流 $i_b$ 将产生底部失真。集电极电流 $i_c$ 和集电极电阻Rc上的电压波形必然随着 $i_b$ 产生同样的失真；而由于输出电压 $u_o$ 与Rc上的电压变化相位相反，从而导致 $u_o$ 波形产生顶部失真

（2）因晶体管截止产生的失真而称为截止失真，只有增大基极电源 $V_{BB}$ 才能消除截止失真

（3）当Q点过高时，虽然基极动态电流 $i_b$ 为不失真的正弦波，但是由于输入信号正半周靠近峰值的某段时间内晶体管进入了饱和区，导致集电极动态 $i_c$ 产生顶部失真，集电极电阻 $R_c$ 上的电压波形随之产生同样的失真。由于输出电压 $u_o$ 与 $R_c$ 上的电压的变化相位相反，从而导致 $u_o$ 波形产生底部失真。

（4）因晶体管饱和产生的失真而称为饱和失真，为了消除饱和失真，就要适当降低Q点。为此，可以增大基极电阻 $R_b$ 以减小基极静态电流 $I_{BQ}$ ，从而减小集电极静态电流 $I_{CQ}$ ；也可以减小集电极电阻Rc以改变负载线斜率，从而增大管压降 $U_{CEQ}$

（5）如果将晶体管的特性理想化，即认为在管压降总量 $u_{CE}$ 最小值大于饱和管压降 $U_{CES}$ （即管子不饱和），且基极电流总量 $i_B$ 的最小值大于0（即管子不截止）的情况下，非线性失真可忽略不计，那么就可以得到放大电路的最大不失真输出电压 $U_{om}$

（6）图解法分析可得最大不失真输出电压的峰值，其方法是以 $U_{CEQ}$ 位中心，取 $V_{CC}-U_{CEQ}$ 和 $U_{CEQ}-U_{CES}$ 这两端距离中较小的数值，并除以 $\sqrt{2}$ ，则得到其有效值 $U_{om}$ ，为了使 $U_{om}$ 经可能大，应将Q点设置在放大区内负载线的中点，即其横坐标值为 $\frac{V_{CC}+U_{CES}}{2}$ ，此时的 $U_{om}=\frac{V_{CC}-U_{CEQ}}{\sqrt{2}}$

1.2.3等效电路法

晶体管的直流模型和静态点的估算法

（1）当将b—e间电压 $U_{BEQ}$ 取一个固定数值时，也就是认为b—e间等效为直流恒压源，说明已将晶体管的输入特性折线化。如下图的集电极电流 $I_{CQ}=\beta I_{BQ}$ ，说明 $I_{CQ}$ 仅决定于 $I_{BQ}$ 而与晶体管压降 $U_{CEQ}$ 无关，即输出特性曲线是横轴的平行线

（2）晶体管的直流模型是晶体管是静态时工作在放大状态的模型，它的使用条件是： $U_{BE}>U_{on}$ 且 $U_{CE}\geq U_{BE}$ ，并认为 $\overline{\beta}=\beta$

晶体管共射h参数等效模型

（1） h参数等效含义：今后看到一个三极管，我就直接把他用这个电路结构来替代我们就完成了等效

（2）对手这两个元器件来说首先他们既不是串联世不是并联，这两者只是有共地的关系。

1.3放大电路静态工作点的稳定

1.3.1静态工作点的稳定必要性

温度的影响

（1）实线为晶体管在 $20^oC$ 时的输出特性曲线，虚线为 $-40^oC$ 时的输出特性曲线。当环境温度升高时，晶体管的电流放大倍数 $\beta$ 增大，穿透电流 $I_{CEQ}$ 增大，这一切集中地表现为集电极电流 $I_{CQ}$ 明显增大，共射电路中晶体管的管压降 $I_{CQ}$ 明显增大，共射电路中晶体管的管压降 $U_{CEQ}$ 将减小，Q点沿直线负载线上移到 $Q'$ 向饱和区变化；而想要使之回到原来的状态，必须减小基极电流 $I_{BQ}$ 。可以想象，当温度降低时，Q点将沿直线负载线下移，向截止区变化，要使之基本不变，必须增大 $I_{BQ}$

（2）一个电子设备能在正常的温度下工作他在正常放大区但是气温一降低立刻开始向截止区偏移，整个电路有可能不工作

（2）由此可见，所谓稳定Q点，通常是指在环境温度变化时集电极电流 $I_{CQ}$ 和管压降 $U_{CEQ}$ 基本不变，即Q点在晶体管输出特性坐标平面中的位置基本不变，而且必须依靠 $I_{BQ}$ 的变化来抵消 $I_{BQ}$ 和 $U_{CEQ}$ 的变化。常用引入直流负反馈或温度补偿的方法使 $I_{BQ}$ 在温度变化时产生与 $I_{CQ}$ 相反的变化

1.3.2静态工作点的稳定电路

电路的组成合Q点稳定原理

（1）节点电流B的方程为 $I_2=I_1+I_{BQ}$ ，为了稳定Q点通常选取满足 $I_1\gg I_{BQ}$ ，

（2）因此B点节点电位为 $U_{BQ}\approx \frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}\cdot V_{CC}$ ，式表明基极电位几乎决定于 $R_{b1}$ 与 $R_{b2}$ 对 $V_{CC}$ 的分压，而与环境无关，即当温度变化时 $U_{BQ}$ 基本不变

（3）当温度升高时，集电极电流 $I_C$ 增大，发射极电流 $I_E$ 也必然相应增大，因而发射极电阻 $R_e$ 上的电压 $U_E$ （即发射极的电位）随之增大；因为 $U_{BQ}$ 基本不变，而 $U_{BE}=U_B-U_E$ ，所以 $U_{BE}$ 势必减小，导致基极电流 $I_B$ 减小， $I_C$ 随之减小，结果， $I_C$ 温度升高而增大的部分几乎被由于 $I_B$ 减小而减小的部分相抵消， $I_C$ 将基本不变，从而Q点在晶体管输出特性曲线特性坐标平面上的位置基本不变

（4）不难看出，在稳定的过程中， $R_e$ 起着重要作用，当晶体管的输出回路电流 $I_C$ 变化时，通过 $R_e$ 上产生电压的变化来影响b-e间电压，从而使 $I_B$ 向相反方向变化,达到稳定Q点的目的。这种将输出量( $I_C$ )通过一定的方式(利用 $R_e$ 将 $I_C$ 的变化转化成电压的变化)引回到输入回路来影响输入量( $U_{BE}$ )的措施称为反馈；由于反馈的结果使输出量的变化减小，故称为负反馈;又由于反馈出现在直流通路之中,故称为直流负反馈。 $R_e$ 为直流负反馈电阻。

静态工作点的稳定

交流等效电路的估算

（1）我们说的输出电阻，是在负载的位置回头看，换句话说是我们在负载的位置来看这个放大电路及其前序电路所以当我们谈输出电阻的时候不包含谈输入电阻也不包含信号源内阻

（3）旁路电容的作用

（4）如果这个负反馈电阻作用在直流通路意思就是稳定直流信号，稳定静态工作点，如果这个负反馈电阻作用在交流通路，那么最终的目的是稳定交流信号。稳定交流信号就意味了降低交流信号的增益

1.3.3稳定静态工作点的措施

二极管反向特性进行温度补偿

（1）使用温度补偿方法稳定静态工作点时，必须在电路中使用对温度敏感的器件，如二级管、热敏电阻

（2）在下图中，电源电压 $V_{CC}$ 远大于晶体管 $b-e$ 间的导通电压 $U_{BEQ}$ ，因此 $R_b$ 中的静态电流

$I_{R_b}=\frac{V_{CC}-U_{BEQ}}{R_b}\approx \frac{V_{CC}}{R_b}$ ，节点B的电流方程为 $I_{Rb}=I_R+I_{BQ}$ ， $I_R$ 为二极管的反向电流， $I_{BQ}$ 为基极静态电流。当温度升高时，一方面 $I_C$ 增大，另一方面，由于 $I_R$ 增大导致 $I_B$ 减小，从而 $I_C$ 随之减小。当参数合适时， $I_C$ 可基本不变

利用二极管正向特性进行温度补偿

1.4晶体管单管放大电路的三种基本接法

1.4.1基本共集放大电路

电路的组成

（1）根据放大电路的组成原则，晶体管应工作在放大区，即 $u_{BE}>U_{on}$ ， $u_{CE}\geq u_{BE}$ ，所以在基本共集放大电路中，晶体管的输入回路加基极电源 $V_{BB}$ ，它与 $R_b$ 、 $R_e$ 共同确定合适的基态静态电流；晶体管的输出回路加集电极电源 $V_{CC}$ ，它提供集电极电流和输出电流。集电极是输入回路和输出回路的公共端

（2）交流信号 $u_I$ 输入时，产生动态的基极电流 $i_b$ ，驮载载静态电流 $I_{BQ}$ 之上，通过晶体管得到放大了的发射极电流 $i_E$ ，其交流分量 $i_e$ 在发射极电阻 $R_e$ 上产生的交流电压即为输出电压 $u_o$ 。由于输出电压由发射极获得，故也称为共集放大电路为射极输出器

静态分析

动态分析

（1）动态分析意味着把三极管来做微变等效，那么三极管做微变等效意味着在我们整个电路结构当中，要把极管变成一个电阻和一个受控电流源

（2）根据放大电路的定义，利用 $\dot{I_b}$ 对 $\dot{I_c}$ 的控制关系，可以得出 $\dot{A_u}$ 的表达式为

$\dot{A_u}=\frac{(1+\beta)R_e}{R_b+r_{be}+(1+\beta)R_e}$

由于 $\dot{A_u}$ 大于0且小于1，即 $\dot{U_o}$ 与 $\dot{U_i}$ 同相且 $\dot{U_o}<\dot{U_i}$ 。当 $R_b+r_{be}\ll (1+\beta)R_e$ 时， $\dot{A_u}\approx 1$ ，即 $\dot{U_o}\approx \dot{U_i}$ ，故常称为共集放大电路称为射极共随器。虽然 $|\dot{A_u}|<1$ ，电路无电压放大能力，但是输出电流 $I_e$ 远大于输入电流 $I_b$ ，所以电路仍然有功率放大能力

（3）这种射极跟随器或者共极电极放大器经常用在复杂电路结构中的最后一极。最后一极直接做射极跟随器用于促进功率的增加。隔离前极和后极之间的影响

（4）输入电阻 $R_i$ 的物理意义能够得出 $R_i$ 的表达式 $R_i=R_b+r_{be}+(1+\beta)R_e$ ，可见发射极电阻 $R_e$ 等效到基极回路时，将增大到 $(1+\beta )$ 倍，因此共集放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻大得多

（5）输入电阻和信号源的内电阻无关因为输入电阻是站在信号源的角度往后看，看我们的放大电路以及后续所有结构的等效电阻

（6）当我们的信号源置零之后这个时候我们的输出端口处的电压和输出端☐处的电流比值，为了计算输出电阻 $R_e$ ，令输入信号为零，在输出端加正弦波电压 $U_o$ ，求出因其产生的电流 $I_o$ ，则输出电阻 $R_o=\frac{U_o}{I_o}$ 。 $I_o$ 由两部分组成，一部分是 $U_o$ 在 $R_e$ 上产生的电流 $I_{R_e}$ ，另一部分是 $U_o$ 由于作用于晶体管的基极回路产生基极电流 $I_b$ 从而获得的 $I_e$ 。

（7）输出电阻表达式： $R_o=R_e//\frac{R_b+r_{be}}{1+\beta}$ ，可见基极回路电阻 $R_b$ 等效到射极回路时，应减小到原来的 $1/(\beta +1)$ 倍

（8）因为共集放大电路输入电阻大、输出电阻小，因而从信号源索取的电流小而且带负载能力强，所以常用于多级放大电路的输入级和输出级；也可用它连接两电路，减少电路间直接相连所带来的影响，起缓冲作用。

1.4.2基本共基电路

电路组成

（1）基本共集放大电路，根据放大电路的放大原理为使晶体管发射结正向偏置且 $U_{BE}>U_{on}$ ，在其回路中加入电源 $V_{BB}$ ， $V_{BB}$ 与 $R_c$ 共同确定发射极静态电流 $I_{EQ}$ ；为使晶体管的集电结反向偏置，在其输出回路中加入电源 $V_{CC}$ ， $V_{CC}$ 提供集电极电流和输出电流。画出交流通路可以看出输入回路和输出回路的公共端为基极

（2）由于共基电路的输人回路电流为 $I_e$ ,而输出回路电流为 $I_C$ , 所以无电流放大能力。而当 $R_e$ 为信号源内阻时，电压放大倍数与阻容耦合共射放大电路的数值相同，均为 $\beta R_c/r_{be}$ ，所以有足够的电压放大能力，从而实现功率放大。此外,共基放大电路的输出电压与输人电压同相;输人电阻较共射电路小;输出电阻与共射电路相当，均为R。。共基放大电路的最大优点是频带宽,因而常用于无线电通信等方面。

1.5基本放大电路的派生电路

1.5.1复合管放大电路

复合管

（1）在电路图中，复合管的基极电流 $i_B$ 等于 $T_1$ 管的基极电流 $i_{B1}$ ，集电极电流 $i_C$ 等于 $T_2$ 管的集电极电流 $i_{C2}$ 与 $T_1$ 管的集电极电流 $i_{C1}$ 之和，而 $T_2$ 管的基极电流 $i_{B2}$ 等于 $T_1$ 的发射极电流 $i_{E1}$ ，所以 $i_c=i_{c1}+i_{c2}=(\beta_1+\beta_2+\beta_1\beta_2)i_{B1}$ ，由于 $\beta_1\beta_2\gg (\beta_1+\beta_2)$ ，所以可以认为复合管的放大系数为 $\beta\approx \beta_1\beta_2$