无源晶振匹配电容—计算方法

以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数，今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法：

如上图，是常见的的无源晶振常见接法，而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法，有两种：

A，知道晶振的负载电容Cload，需要计算Ce1与Ce2；

B，某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。

方法A：

如上图：Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)]

其中，Ce1,Ce2为晶振外部的负载电容，也即是匹配电容

Cl为晶振规格书的负载电容

Cs为PCB板的走线、IC PAD的寄生电容的和

Ci为IC的PIN寄生电容。

计算开始：

Cl通过规格书获取，一般为20pF。

Cs与Ci采用估算值，Cstray=Cs+Ci。一直范围为3pF~7pF。

那么：Ce1(min)=Ce2(min)=2*[20-7]=26pF

Ce1(max)=Ce2(max)=2*[20-3]=34pF

则这时候在这个区间选一个容值即可，基本没多大问题。

方法B：

C1,C2为晶振的外部匹配电容

Cstray为trace,pad and chip的寄生电容

Cl则为我们需要的晶振参数。

计算开始：

如果chip有要求C1=C2=22pF,而Cstray范围为3pF~7pF

那么：CL=11+（3~7）pF

CL（min）=14pF，CL（max）=18pF。

则可以拿着参数去找对应的晶振型号。

总结：上面两种方法，一种是先确定了晶振的参数，然后对应去算匹配电容范围，简单方便。另外一种是根据平台推荐的匹配电容，去算晶振的参数，然后去选择对应的型号。仔细看看，这两种方法其实是一样的。