数字IC后端设计实现十大精华主题分享

今天小编给大家分享下吾爱IC社区星球上周十大后端精华主题。

Q1:星主，请教个问题，长tree的时候发现这个scan的tree 的skew差不多400p，我高亮了整个tree的schematic，我在想是不是我在这一系列mux前边打断，设置ignore pin，后边create_clock那是不是就可以做平这个tree？

数字IC后端实现时钟树综合系列教程 | Clock Tree，Clock Skew Group之间的区别和联系

你如果不做任何处理，所有的sink点都会做平的，即clock skew不会这么大。只不过clock tree长度会比较长而已。你这个case需要分析几个mux的另外一个输入时钟是什么？能否mux输入端设置ignore，取决于mux前后的寄存器是否有时序交互。如果没有，是可以这么做。否则就不行。

像下面这两个典型时钟结构，我们就需要对选择器的各个输入端做处理。比如第二张图所示的无毛刺时钟切换电路，该电路最后一级的输入端和输出端需要分别定义sink type和create_clock，否则整体clock tree会做得很长！

Q2:星主你好，我想请教一下create_clock 和create_gerated_clock 的sink 是否要做平问题。我看网上一些说法：create_clock 和create_gerated_clock 的sink 因为同属于一颗clock tree，会默认做平，电路图如下：

我觉得是不会做平，理由如下：

1. create_clock 和create_gerated_clock 的spec 会产生不同clock tree，这是属于不同clock tree了，并且还产生不同的skew group。

2）我在innovus gui和命令确认了 DFF1和DFF2的clock skew 是远远大于我设置cts_target_skew的(如果是做平，理论DFF1和DFF2的skew 应该与我cts_target_skew差异不大)。并且确认了cts spec 没有mopdify_ccopt_skew_group -add_ignore_pins 命令把我DFF1/CK， DFF2/CK给ignore 掉。星主，请问一下，我想法是对的吗？

如果是在分频寄存器输出定义generated clock，效果如下图所示。FF1和FF2肯定会比较balance的。因为FF2这路多出一颗寄存器CK-Q的delay，所以FF1这路clock path上工具会插不少clock inverter的。

如果是在分频器输出create_clock，那么效果图如下图所示。FF1和FF2都在各自的clock tree上，skew一定比较大。FF1只会和分频寄存器做balance。

你的时钟结构图我帮你画出来了（clock mux的B端 你也可以进一步完善）。正常是要做clock balance的。这个需要将clock spec文件中这两颗寄存器相关信息截图看下，确认工具是否有对这两个点做了一些特殊处理。

另外我建议你单独做下ccopt_design -cts 然后再分析下。做tree之前记得把这个设置设上。正常后端实现流程不要把CTS和postCTS两个阶段合并一起做！

set_ccopt_property extract_clock_generator_skew_groups false

Q3:星主你好，想总结一下 timing report中 incr 延时后的特殊符号的意义。我了解到 * 代表工具抽的sdf延时，请问空白或其他特殊符号（如 # ）代表了哪些意思，感谢！

一张图搞定这个问题。PT时序signoff看到的report中只能是真实RC反标&，其他任何符号都是错的。只要是咱们社区IC训练营学员的，这个肯定非常熟悉，每次时序signoff分析pt时序报告都会讲到这个。

数字IC后端笔试面试题库 | 经典时序计算题

Q4:Memory是否可以摆放在core区域和timing path合理性问题

1. 图中所示的timing path是否合理？为什么？如何做优化？

2）Memory是否可以摆放在core区域中间？把memory摆放在core区域的利弊分别是什么？

Q5:星主，最近做的项目遇到了IR问题 有个违例点在buffer v10上，这个bufferv10驱动的是长线 200多um 领导的让在长线中间插个buffer 后面也解掉了，请问这是什么原理？

线短了单个buf负载变小，对应电流会变小，新加的buf在不同位置，原先位置的iavg会变小，所以对ir drop确实有点收益。

包括把cell驱动变小或换成阈值电压更高的cell，其实也是可以改善ir drop的。

数字IC设计后端实现前期预防IR Drop的方法汇总

Q6: TSMC28nm 1P8M Powerplan设计规划问题

Q7: 星主，问一个有趣的事情，同一个db，同样的命令，为啥nworst 1我这里报只有一个slack，同事那儿就变成三个了？

你们当前active的analysis view数量不一致哦，这个还是非常明确的。不能view下slack是不太一样的。

最后发现是有个同学在flow中将如下变量设置成true了，改成false就一模一样了。

set_global timing_report_group_based_mode true

Q8:星主，想问一下，设计存在mem2cgate的path，invs有啥命令让icg靠近mem摆放吗，或者这类path如何优化timing呢?

一般memory相关的ICG我们都是建议手工摆放好位置，fixed住。优化到ICG enable的timing path，我们主要有以下几种方法。

1）placement阶段设置更大的clock gating check

2）使用early clock flow，在placement阶段提前看到ICG和寄存器memory之间的天然skew

3）综合阶段和PR阶段控制fanout（可以改善timing）

4. power aware的clock gating cell placement

甚至我们如果想精细化调timing和clock tree，我们还需要manual place这些ICG clock gating cell和相应的寄存器。

Q9: 星主，请教个问题，harden做lvs check结果如下图，extract open是我给harden打的text，分别为m5的VDDI，m7的VDD，我去掉text我lvs会fail，不去掉的话我这儿显示open，在top（hell)上也能显示出来open，所以我这儿的open究竟算不算真错？另外我给top出gds前还需要打text吗？

模块内部M5没有连成一个整体导致的。顶层在模块盖上高层的pg后就没问题了。你给top出gds不需要打text的，因为你出模块lef给顶层了，顶层可以看得到你模块内部高层PG的。

Q10: Calibre插dummy后对时序和IR Drop的影响？